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200MHz至12GHz高速调制,Exail PSC-LN-0.1偏振扰频器与PSW-LN-0.1高速偏振开关

作者:黄f 时间:2026-06-03

Exail的PSC-LN系列与PSW-LN-0.1是基于铌酸锂(LiNbO₃)相位调制技术的集成光电器件。基于铌酸锂晶体的电光扰偏器,其核心原理是通过外加电场改变晶体的折射率。当光束通过晶体时,若施加一个快速变化的电场,晶体折射率随之动态变化,从而使光的偏振态发生相应调制。这类器件的主要优势在于响应速度极快,得益于铌酸锂材料优异的高频电光特性。然而,该技术也存在若干局限。首先,由于光路需要在光纤与晶体界面之间多次耦合,导致插入损耗通常较高。其次,器件结构相对复杂,且铌酸锂晶体本身成本较高,造成整体造价昂贵。另一个关键问题是偏振敏感度高,即扰偏效果依赖于入射光的偏振方向。理想情况下,入射偏振方向应与晶体感应轴成45度角,此时性能最优,但实际应用中很难持续满足该条件。为拓宽偏振适应范围,可采用多级晶体串联的方案,但这又会进一步增加插入损耗和制造成本。

电光偏振扰频器型号:

PSC-LN为铌酸锂扰偏器,包含PSC-LN-0.1200 MHz)和PSC-LN-1012 GHz)两个型号,铌酸锂扰偏器能够在宽频带内对光信号的偏振态进行动态扰动,以消除偏振相关效应,其工作波长覆盖1530-1625 nmC+L波段),插入损耗典型值为2.5-4 dBPSW-LN-0.1为高速偏振开关,可在高达200 MHz频率下实现输入光在两个正交偏振态间的切换,典型开关电压为6-9 V。两者均采用紧凑设计,适用于光纤传感、干涉测量及高速测试系统等需要偏振控制或去偏振的应用场景。

PSC-LN系列是紧凑型高速电光偏振扰频器。这些集成光学器件具有低损耗单模波导特性,低频至12GHz铌酸锂扰偏器能够在直流至10GHz以上的频率范围内对偏振态进行调制。

它们的工作光学带宽约为100纳米。

该器件基于一个相位延迟器,能够对保持在固定、良好维持的偏振态的光进行去偏振,并具有残余偏振度。

PSC-LN-0.1与PSC-LN-10电光偏振扰频器基于Exail双折射铌酸锂(LiNbO₃)相位调制器,其波导以与主轴成45°角的方向被激发。因此,输入的偏振态(SOP)被分解为两个正交的TETM偏振态。

PSW-LN-0.1高速偏振开关是一款集成光学波导器件,可在高达200 MHz的频率下将输入光的偏振态在两个线性正交的输出状态之间切换。

PSW-LN-0.1高速偏振开关基于Exail双折射铌酸锂(LiNbO₃)相位调制器,其波导以与主轴成45°角的方向受激发光。因此,输入的偏振态(SOP)被分解为两个正交的TETM偏振态。当通过控制电极施加射频调制信号时,会在TETM分量之间产生光程差,从而导致输出光产生新的偏振态(SOP)。

PSW-LN偏振开关可充当延迟可由用户调节的波片。当向调制器施加具有适当选定峰值电平的调制信号时,输入的线偏振光可以保持原方向出射,或旋转90°出射。这两个方向与光学输出保偏光纤的主轴匹配,因此PSW-LN可作为慢/快轴开关运行。最终,可以调整相位调制信号,以在输出光纤的任一轴上提供高度线性的SOP。这种偏振旋转为高速偏振切换提供了一种高效的解决方案。

产品特点

- C+L波段操作

-支持低频至10 GHz工作范围

-低插入损耗


应用领域

-消除偏振灵敏度,实现去偏振

-偏振扰频

-干涉仪与传感器

-高速测试设备

200 MHz 电光偏振扰频器PSC-LN-0.1规格书:

参数

符号

条件

最小值

典型值

最大值

电光带宽(MHz)

S₂₁

150

200

TE-TM 半波电压(V)

VTTRF

1 x VπRF 50 kHz

6

7

射频输入阻抗(Ω)

Zin−RF

10000

晶体

Lithium Niobate X-Cut Y-Prop

波导工艺

Ti diffusion

工作波长(nm)

λ

1530

1550

1625

插入损耗(dB)

IL

不带光纤连接器

3.5

4

偏振相关损耗(dB)

PDL

1

光回波损耗(dB)

ORL

-40

-45

调制电压范围(V)

EVin

-20

+20

光输入功率(dBm)

OPin

20

工作温度(°C)

OT

0

+70

存储温度(°C)

ST

-40

+85

所有规格均在 25°C1550 nm 下给出,除非另有说明。

每个 FC/APC 光纤连接器可能导致高达 0.25 dB 的额外损耗。


12 GHz电光偏振扰频器PSC-LN-10规格书:

参数

符号

条件

最小值

典型值

最大值

电光带宽(GHz)

S₂₁

2 GHz

10

12

纹波S₂₁(dB)

ΔS₂₁

0.5

1

电回波损耗(dB)

S₁₁

-17

-14

TE-TM 半波电压(V)

VTTRF

1 x VπRF 50 kHz

6

7

阻抗匹配(Ω)

Zin-RF

50

晶体

Lithium Niobate X-Cut Y-Prop

波导工艺

Ti diffusion

工作波长(nm)

λ

1530

1550

1625

插入损耗(dB)

IL

不带光纤连接器

2.5

3.5

偏振相关损耗(dB)

PDL

1

光回波损耗(dB)

ORL

-40

-45

射频输入功率(dBm)

EPin

28

光输入功率(dBm)

OPin

20

工作温度(°C)

OT

0

+70

存储温度(°C)

ST

-40

+85

所有规格均在 25°C1550 nm 下给出,除非另有说明。

每个 FC/APC 光纤连接器可能导致高达 0.25 dB 的额外损耗。

200 兆赫兹偏振开关PSW-LN-0.1规格书:

参数

符号

条件

最小值

典型值

最大值

电光带宽(MHz)

S₂₁

RF电极

150

200

50 kHz 开关电压(V)

50kHz

RF电极

6

7

150 MHz 开关电压(V)

150MHz

RF电极

8

9

射频输入阻抗(MΩ)

Zin-DC

10000

晶体

Lithium Niobate X-Cut Y-Prop

工作波长(nm)

λ

1530

1550

1580

插入损耗(dB)

IL

不带光纤连接器

3.5

4

偏振相关损耗(dB)

PDL

1

偏振消光比(dB)

PER

18

20

光回波损耗(dB)

ORL

-40

-45

调制电压范围(V)

EVin

-20

+20

光输入功率(dBm)

OPin

20

工作温度(°C)

OT

0

+70

存储温度(°C)

ST

-40

+85

PSC-LN偏振扰频器与PSW-LN-0.1偏振开关图纸与引脚:

端口

功能

IN

光输入端口

OUT

光输出端口

RF

射频输入端口

IN,OUT:保偏1550纳米光纤,康宁PM 15-U40D,长度:1.5米,缓冲层直径:900微米。OUT:单模光纤,SMF-28,长度:1.5米,缓冲层直径:900微米。RFMX-LN-0.1/5/10K型母头(兼容SMA)。

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