作者:郭sy 时间:2026-06-09
雪崩光电二极管APD驱动下一代激光雷达与主动驾驶系统的精准定位。激光雷达(光探测与测距)技术通过提供高分辨率距离与成像数据,正在变革汽车、工业及测绘应用。随着系统在复杂环境条件下追求更远探测距离与更高可靠性,探测器性能变得至关重要。Opto Diode ODD-APD-002雪崩光电探测器针对905纳米波长优化,可满足先进激光雷达与飞行时间(ToF)系统所需的灵敏度、响应速度与稳定性。凭借数十年光子学专业技术,Opto Diode为追求更高精度、更远探测距离与更可靠检测性能的设计人员提供稳定解决方案。
雪崩光电二极管APD核心特性
-高响应度
-雪崩增益最高可达100倍,且具有低过量噪声
-低暗电流(典型值约0.4nA)和低电容(约1.2pF)
-密封式TO-46封装,确保坚固可靠
APD光敏二极管应用领域
-车载激光雷达与高级驾驶辅助系统(ADAS)障碍物检测
-工业安全扫描仪
-飞行时间(ToF)测距
-3D测绘与测量系统
-无人机激光雷达
-自主物流
APD雪崩光电二极管技术优势
雪崩光电二极管APD可在内部放大微弱光信号,实现对远距离或低反射率物体的微弱反射的探测。ODD-APD-002雪崩光电探测器在高反向偏压下工作,增益可达约100倍,同时保持低噪声与优异线性度。该APD光敏二极管有源区尺寸500微米,905纳米波长下响应度约0.55A /W,即便在明亮环境光下也能实现高效信号转换与快速响应。该APD雪崩光电二极管低电容(约1.2pF)特性支持亚纳秒级上升时间,这对飞行时间精准测距至关重要。
激光雷达与测距应用
905纳米波长因在性能、成本与人眼安全之间实现平衡,被广泛应用于车载与工业激光雷达。ODD-APD-002雪崩光电探测器适用于以下应用。
-自动驾驶车辆障碍物检测与高级驾驶辅助系统传感器
-工业安全扫描仪与机器人导航
-紧凑型飞行时间模块与测距仪器
-自由空间光通信与光学测速
针对远距离或特殊平台,Opto Diode还推出ODD-APD-003雪崩光电二极管APD与ODD-APD-001 APD光敏二极管型号,适用于大气探测与人眼安全型激光雷达设计,实现激光雷达核心波长的全光谱覆盖。
雪崩光电探测器集成与设计支持
每款雪崩光电二极管APD均采用气密性TO-46封装,在-45℃至+85℃温度范围内完成测试,可定制光学滤波器或前置放大组件,降低环境干扰。垂直整合制造工艺确保增益特性稳定,在严苛环境下具备长期可靠性。
主推产品雪崩光电二极管APD
|
型号 |
有效面积 |
Vop增益=M |
响应度A / W |
暗电流nA |
上升时间ns |
反向击穿电压 |
|
ODD-APD-001 |
0.031mm2 |
峰值波长下93V, M=10 |
1550nm, M=1 |
8.0@M=30 |
0.30,RL=50Ω |
50V |
|
ODD-APD-002 |
0.2mm2 |
峰值波长下95VM=100 |
905nm, M=1 |
0.4@M=100 |
0.5,RL=50Ω |
220V |
|
ODD-APD-003 |
0.2mm2 |
峰值波长下332V,M=100 |
1064nm, M=1 |
5.0@M=100 |
2.0,RL=50Ω |
460V |
雪崩光电探测器性能亮点与市场洞察
除905纳米激光雷达系统外,Opto Diode的ODD-APD-003与ODD-APD-001拓展了高端、远距离及人眼安全应用的探测能力。这些高灵敏度雪崩光电二极管专为航空测绘、国防与自主导航等对精准测距与性能稳定性要求严苛的领域设计。
ODD-APD-003 APD光敏二极管针对1064纳米波长优化,在机载与星载激光雷达、目标指示器及工业激光仪器中表现稳定。500微米有源区、低暗电流与2纳秒快速响应,可实现远距离精准测距。高击穿稳定性与低电容特性,确保在恶劣或多变环境下实现纯净高速信号采集,适用于需要远距离高精度测量的测绘与遥感平台。
APD雪崩光电二极管ODD-APD-001针对要求人眼安全与最远探测距离的应用,在1550纳米波长下具备超高灵敏度。它采用铟镓砷(InGaAs)技术,有源区200微米,实现了较高的量子效率(约1.0A/W)和较低的过剩噪声,适用于汽车、地形测绘和大气激光雷达系统,这些系统使用高功率光纤激光器。其扩展的频谱响应范围从900到1700nm以及GHz级的带宽,使其能够在阳光或不利天气条件下进行远距离探测和精细分辨率的3D测绘。
(注:为清晰展示,图中已移除管帽;引脚标注:阳极[1.02]、阴极[1.01])