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用于飞秒应用的Eksma超薄晶体:BBO晶体、LBO晶体、KDP晶体、LiIO3晶体、AgGaS2晶体、GaSe晶体

作者:叶gx 时间:2025-04-22

立陶宛EKSMA OPTICS可提供用于飞秒应用的超薄晶体,比如BBO晶体、LBO晶体、KDP晶体、LiIO3晶体、AgGaS2晶体、GaSe晶体。表 1为晶体1型相位匹配的最短和最长波脉冲之间的群速度失配,表2为1型 SHG 的准静态相互作用长度为 800 nm,表3800 nm (o-pol) 400 nm (e-pol) 脉冲下 1 SHG @ 800 nm 取向晶体的 D 参数。

立陶宛EKSMA OPTICS薄晶体用于飞秒脉冲的不同应用:

- 谐波生成 (SHGSFG)

- 光学参量生成和放大 (OPGOPA)

- 差频生成 (DFG)

- 通过自相关和互相关测量脉冲宽度;

- THz 频率生成(在 GaSe晶体中);

- 偏振纠缠光子对生成。


超短光脉冲通过晶体传播会导致脉冲延迟(因为群速度不匹配 (GVM))、持续时间变宽(因为群延迟色散 (GDD))和频率啁啾。不幸的是,这些影响迫使在频率生成方案中限制非线性晶体厚度。对于两个具有不同群速度的共线传播脉冲,它们的准静态相互作用长度 (Lqs) 定义为它们通过等于脉冲持续时间之一(或所需脉冲持续时间)的路径分开的距离:

Lqs=τ/GVM

其中 GVM 是群速度失配,τ是脉冲持续时间。表 1 列出了针对不同晶体最流行的 1 型相位匹配应用的 GVM 计算结果。表 2 列出了在不同基本脉冲持续时间下 800 nm 1 SHG 的最佳 BBO晶体、LBO晶体、KDP晶体和 LiIO3晶体厚度,这些厚度受 GVM 限制。还计算了室温 (20°C) 下的有效系数和相位匹配角。如果使用更长的晶体,这将导致二次谐波脉冲展宽到比基本脉冲持续时间(或所需脉冲持续时间)更长的持续时间。群延迟色散 (GDD) 对脉冲传播有重要影响,因为脉冲总是具有一定的光谱宽度,因此色散会导致其频率分量以不同的速度传播。对于具有正常色散的晶体,当折射率随波长增加而减小时,这会导致高频分量的群速度降低,从而产生正啁啾。群速度的频率依赖性也会影响脉冲持续时间。如果脉冲最初无啁啾,晶体中的色散将始终增加其持续时间。这称为色散脉冲展宽。对于最初无啁啾且持续时间为 τ0 的高斯脉冲,脉冲持续时间会根据以下公式增加:

t=τ0Ö[1+(4ln2*D*L/τ02)]

其中 L - 晶体厚度(单位:毫米);D - 二阶群延迟色散或色散参数。表 3 给出了不同晶体中 1 型相位匹配 SHG @ 800 nm D 参数,其中 800 nm 脉冲为“o”极化,400 nm 脉冲为“e”极化。


1. 1 型相位匹配的最短和最长波脉冲之间的群速度失配

晶体

SFM800+266 nm

SFM800+400 nm

SHG800 nm

SHG1030 nm

SHG1064 nm

DFG 1.26-2.183 3 μm

DFG 1.48-1.74 10 μm

BBO

2074 fs/mm

737 fs/mm

194 fs/mm

94 fs/mm

85 fs/mm

-

-

LBO

-

448 fs/mm

123 fs/mm

51 fs/mm

44 fs/mm

-

-

KDP

-

370 fs/mm

77 fs/mm

1 fs/mm

-7 fs/mm

-

-

LiIO3

-

-

559 fs/mm

285 fs/mm

262 fs/mm

-

-

AgGaS2

-

-

-

-

170 fs/mm

-10 fs/mm

2. 1 SHG 的准静态相互作用长度为 800 nm

晶体

200 fs

100 fs

50 fs

20 fs

10 fs

切角θ,φ

系数deff

BBO晶体

1.0 mm

0.5 mm

0.26 mm

0.1 mm

0.05 mm

29.2°, 90°

2.00 pm/V

LBO晶体

1.6 mm

0.8 mm

0.4 mm

0.16 mm

0.08 mm

90°, 31.7°

0.75 pm/V

KDP晶体

2.6 mm

1.3 mm

0.6 mm

0.26 mm

0.13 mm

44.9°, 45°

0.30 pm/V

LiIO3晶体

0.4 mm

0.18 mm

0.01 mm

0.04 mm

0.018 mm

42.5°, 0°

3.59 pm/V

3. 800 nm (o-pol) 400 nm (e-pol) 脉冲下 1 SHG @ 800 nm 取向晶体的 D 参数

晶体

D (fsec2/mm) at 800 nm

D (fsec2/mm) at 400 nm

BBO

75 fsec2/mm

196 fsec2/mm

LBO

47 fsec2/mm

128 fsec2/mm

KDP

27 fsec2/mm

107 fsec2/mm

LilO3

196 fsec2/mm

589 fsec2/mm

我们可以计算出,光谱受限的初始 30 fsec 400 nm 高斯脉冲在通过 1 mm 厚度的 BBO晶体后将展宽为 35 fsec 脉冲。


立陶宛EKSMA OPTICS独立晶体

厚度小于 100 µm 的晶体可以作为独立晶体提供,无需连接到支架上。但是,强烈建议使用环形支架来安全处理这些薄晶体。厚度小于 300 µm 的晶体的公差为 ±50 µm,厚度小于 100 µm 的晶体的公差为 ±20 µm

GaSe 晶体仅粘在直径 Ø25.4 mm 的环形支架上。

晶体

最小孔径

最大孔径

最小厚度

BBO晶体

2×2 mm

25×25 mm

0.1 mm

LBO晶体

2×2 mm

60×60 mm

0.1 mm

KDP晶体

2×2 mm

100×100 mm

0.1 mm*

LiIO3晶体

2×2 mm

50×50 mm

0.1 mm*

AgGaS2晶体

5×5 mm

20×20 mm

0.1 mm

GaSe晶体

Ø5 mm

Ø19 mm

0.01 mm

* 对于最大孔径的KDP晶体和LiIO3晶体,厚度应约为 0.5 毫米。

我们为所有独立晶体提供各种 ARBBAR 和保护涂层。

阳极氧化铝制成的环形支架可用于安全方便地处理超薄晶体。标准尺寸为 Ø 1” 和 25 30 毫米。支架厚度为 10 毫米。另外还可提供超薄晶体定制形状和尺寸的支架。


光学接触晶体

厚度小于 100 µm BBO 晶体可以光学接触的方式供应在尺寸为 10×10×2 mm 12×12×2 mm UV 熔融石英基板上。其他尺寸的基板也可根据要求提供。BBO 晶体厚度的公差为 +10/-5 µm

晶体

最小孔径

最大孔径

最小厚度

BBO

5×5 mm

18×18 mm

10±5 µm

光学接触晶体不提供涂层。


规格

BBO, LBO晶体

KDP, LiIO3, AgGaS2晶体

平整度

λ/6 @ 633 nm

λ/4 @ 633 nm

并行性

       < 10 arcsec

< 30 arcsec

角度公差

< 15 arcmin

< 30 arcmin

表面质量

10/5 scratch & dig

20/10 scratch & dig

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