作者:叶gx 时间:2025-04-22
立陶宛EKSMA OPTICS可提供用于飞秒应用的超薄晶体,比如BBO晶体、LBO晶体、KDP晶体、LiIO3晶体、AgGaS2晶体、GaSe晶体。表 1为晶体1型相位匹配的最短和最长波脉冲之间的群速度失配,表2为1型 SHG 的准静态相互作用长度为 800 nm,表3为800 nm (o-pol) 和 400 nm (e-pol) 脉冲下 1 型 SHG @ 800 nm 取向晶体的 D 参数。
立陶宛EKSMA OPTICS薄晶体用于飞秒脉冲的不同应用:
- 谐波生成 (SHG、SFG);
- 光学参量生成和放大 (OPG、OPA);
- 差频生成 (DFG);
- 通过自相关和互相关测量脉冲宽度;
- THz 频率生成(在 GaSe晶体中);
- 偏振纠缠光子对生成。
超短光脉冲通过晶体传播会导致脉冲延迟(因为群速度不匹配 (GVM))、持续时间变宽(因为群延迟色散 (GDD))和频率啁啾。不幸的是,这些影响迫使在频率生成方案中限制非线性晶体厚度。对于两个具有不同群速度的共线传播脉冲,它们的准静态相互作用长度 (Lqs) 定义为它们通过等于脉冲持续时间之一(或所需脉冲持续时间)的路径分开的距离:
Lqs=τ/GVM
其中 GVM 是群速度失配,τ是脉冲持续时间。表 1 列出了针对不同晶体最流行的 1 型相位匹配应用的 GVM 计算结果。表 2 列出了在不同基本脉冲持续时间下 800 nm 的 1 型 SHG 的最佳 BBO晶体、LBO晶体、KDP晶体和 LiIO3晶体厚度,这些厚度受 GVM 限制。还计算了室温 (20°C) 下的有效系数和相位匹配角。如果使用更长的晶体,这将导致二次谐波脉冲展宽到比基本脉冲持续时间(或所需脉冲持续时间)更长的持续时间。群延迟色散 (GDD) 对脉冲传播有重要影响,因为脉冲总是具有一定的光谱宽度,因此色散会导致其频率分量以不同的速度传播。对于具有正常色散的晶体,当折射率随波长增加而减小时,这会导致高频分量的群速度降低,从而产生正啁啾。群速度的频率依赖性也会影响脉冲持续时间。如果脉冲最初无啁啾,晶体中的色散将始终增加其持续时间。这称为色散脉冲展宽。对于最初无啁啾且持续时间为 τ0 的高斯脉冲,脉冲持续时间会根据以下公式增加:
t=τ0Ö[1+(4ln2*D*L/τ02)]
其中 L - 晶体厚度(单位:毫米);D - 二阶群延迟色散或色散参数。表 3 给出了不同晶体中 1 型相位匹配 SHG @ 800 nm 的 D 参数,其中 800 nm 脉冲为“o”极化,400 nm 脉冲为“e”极化。
表 1. 1 型相位匹配的最短和最长波脉冲之间的群速度失配
晶体 |
SFM800+266 nm |
SFM800+400 nm |
SHG800 nm |
SHG1030 nm |
SHG1064 nm |
DFG 1.26-2.183→ 3 μm |
DFG 1.48-1.74→ 10 μm |
BBO |
2074 fs/mm |
737 fs/mm |
194 fs/mm |
94 fs/mm |
85 fs/mm |
- |
- |
LBO |
- |
448 fs/mm |
123 fs/mm |
51 fs/mm |
44 fs/mm |
- |
- |
KDP |
- |
370 fs/mm |
77 fs/mm |
1 fs/mm |
-7 fs/mm |
- |
- |
LiIO3 |
- |
- |
559 fs/mm |
285 fs/mm |
262 fs/mm |
- |
- |
AgGaS2 |
- |
- |
- |
|
- |
170 fs/mm |
-10 fs/mm |
表 2. 1 型 SHG 的准静态相互作用长度为 800 nm
晶体 |
200 fs |
100 fs |
50 fs |
20 fs |
10 fs |
切角θ,φ |
系数deff |
BBO晶体 |
1.0 mm |
0.5 mm |
0.26 mm |
0.1 mm |
0.05 mm |
29.2°, 90° |
2.00 pm/V |
LBO晶体 |
1.6 mm |
0.8 mm |
0.4 mm |
0.16 mm |
0.08 mm |
90°, 31.7° |
0.75 pm/V |
KDP晶体 |
2.6 mm |
1.3 mm |
0.6 mm |
0.26 mm |
0.13 mm |
44.9°, 45° |
0.30 pm/V |
LiIO3晶体 |
0.4 mm |
0.18 mm |
0.01 mm |
0.04 mm |
0.018 mm |
42.5°, 0° |
3.59 pm/V |
表 3. 800 nm (o-pol) 和 400 nm (e-pol) 脉冲下 1 型 SHG @ 800 nm 取向晶体的 D 参数
晶体 |
D (fsec2/mm) at 800 nm |
D (fsec2/mm) at 400 nm |
BBO |
75 fsec2/mm |
196 fsec2/mm |
LBO |
47 fsec2/mm |
128 fsec2/mm |
KDP |
27 fsec2/mm |
107 fsec2/mm |
LilO3 |
196 fsec2/mm |
589 fsec2/mm |
我们可以计算出,光谱受限的初始 30 fsec 400 nm 高斯脉冲在通过 1 mm 厚度的 BBO晶体后将展宽为 35 fsec 脉冲。
立陶宛EKSMA OPTICS独立晶体
厚度小于 100 µm 的晶体可以作为独立晶体提供,无需连接到支架上。但是,强烈建议使用环形支架来安全处理这些薄晶体。厚度小于 300 µm 的晶体的公差为 ±50 µm,厚度小于 100 µm 的晶体的公差为 ±20 µm。
GaSe 晶体仅粘在直径 Ø25.4 mm 的环形支架上。
晶体 |
最小孔径 |
最大孔径 |
最小厚度 |
BBO晶体 |
2×2 mm |
25×25 mm |
0.1 mm |
LBO晶体 |
2×2 mm |
60×60 mm |
0.1 mm |
KDP晶体 |
2×2 mm |
100×100 mm |
0.1 mm* |
LiIO3晶体 |
2×2 mm |
50×50 mm |
0.1 mm* |
AgGaS2晶体 |
5×5 mm |
20×20 mm |
0.1 mm |
GaSe晶体 |
Ø5 mm |
Ø19 mm |
0.01 mm |
* 对于最大孔径的KDP晶体和LiIO3晶体,厚度应约为 0.5 毫米。
我们为所有独立晶体提供各种 AR、BBAR 和保护涂层。
阳极氧化铝制成的环形支架可用于安全方便地处理超薄晶体。标准尺寸为 Ø 1” 和 25 或 30 毫米。支架厚度为 10 毫米。另外还可提供超薄晶体定制形状和尺寸的支架。
光学接触晶体
厚度小于 100 µm 的 BBO 晶体可以光学接触的方式供应在尺寸为 10×10×2 mm 或 12×12×2 mm 的 UV 熔融石英基板上。其他尺寸的基板也可根据要求提供。BBO 晶体厚度的公差为 +10/-5 µm。
晶体 |
最小孔径 |
最大孔径 |
最小厚度 |
BBO |
5×5 mm |
18×18 mm |
10±5 µm |
光学接触晶体不提供涂层。
规格
|
BBO, LBO晶体 |
KDP, LiIO3, AgGaS2晶体 |
平整度 |
λ/6 @ 633 nm |
λ/4 @ 633 nm |
并行性 |
< 10 arcsec |
< 30 arcsec |
角度公差 |
< 15 arcmin |
< 30 arcmin |
表面质量 |
10/5 scratch & dig |
20/10 scratch & dig |