作者：韦bq 时间：2026-09-21
薄膜偏振片（TFP，Thin Film Polarizers）用于分离光的偏振方向，即s偏振和p偏振。当这种偏振片安装在布儒斯特角位置时（取决于材料特性），p偏振分量会被消除。LAYERTEC生产基于平面基板的薄膜偏振器，适用波长范围为260nm-2500nm。与立方体偏振光镜相比，这些偏振分光镜PBS具有较高的激光损伤阈值，因此适合用于高功率激光器。
TFP偏振片的设计入射角大于40°，在布鲁斯特角处，其带宽更宽，Ts/Tp比值更高。当入射角（AOI）为45°或55°时，典型的偏振比Ts/Tp>500。如果选择比布儒斯特角更大的入射角度，就可以在有限的偏振比范围内获得更长的波长范围。
图1：a)布鲁斯特角 b)n=1.45时FS的Rs、Rp和Ru；非偏振unpol=(s+p)/2
LAYERTEC标准薄膜偏振片Thin Film Polarizers：
图2：反射率曲线图
a)标准TFP在入射角（AOI）为55°（布鲁斯特角）时，针对s和p偏振在1030nm波长下的反射率光谱
b)同一TFP设计在入射角（AOI）为53°、55°和57°时，p偏振光的反射率（调整入射角可将1030 nm波长下的反射率（Rp）从0.25 %降低至< 0.1 %，从而提供了优化偏振比的可能）
标准薄膜偏振片的特点：
- 入射角（AOI）＞40°。请注意，在布鲁斯特角下工作的薄膜偏振器TFP，其带宽明显更宽，且Tp/Ts比值高于在AOI=45°下的偏振分光镜PBS；
- 常规消光比Tp/Ts>500（AOI=45°或55°）
- 若选用大于布儒斯特角的入射角，可拓展工作波长范围，但消光比会有所下降；
- 定制特殊镀膜结构，消光比Tp/Ts最高可达10000；
- 高激光损伤阈值（适用于腔内应用）；
- 在设计激光器时，建议预留±2°倾角调节空间，使偏振片工作在最优性能区间；
- 标准设计适用于260nm-2500nm之间的波长。
特殊薄膜偏振片Thin Film Polarizers：
图3：适用于钛蓝宝石激光器波长范围、具有不同带宽和不同偏振比的宽带薄膜偏振器TFP
工作入射角（AOI）分别为70°和80°
a)Rp和Rs与波长的关系，针对AOI=70°设计的TFP b)Rp和Rs与波长的关系，针对AOI=80°设计的TFP
图4：800nm波段的宽带TFP
这种偏振分光镜PBS/TFP特殊设计提供了极其宽的偏振波长范围（中心波长的±10 %），且Tp/Ts=300/1000。
Layertec薄膜偏振片的部分标准品型号：
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型号 |
描述 |
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109512 |
Fused silica | plane | Ø=25.0(-0.1)mm | t=3.05(±0.10)mm | //<5min S1: Øe21 | 3/-(0.2) [L/10 reg.] | 5/2x0.04; L1x0.004 | chamfer 0.2 ARp(45°,1030nm)<0.1% S2(^): Øe21 | 3/-(0.2) [L/10 reg.] | 5/2x0.04; L1x0.004 | chamfer 0.2 TFP(45°,1030nm) Rs>99.9% Rp<2% |
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110908 |
Fused silica | plane | Ø=25.0(-0.1)mm | t=2.3(±0.1)mm | //<5min S1: Øe21 | 3/-(0.2) [L/10 reg.] | 5/2x0.04; L1x0.004 | chamfer 0.2 ARp(45°,1030nm)<0.1% S2(^): Øe21 | 3/-(0.2) [L/10 reg.] | 5/2x0.04; L1x0.004 | chamfer 0.2 TFP(45°,1030nm) Rs>99.9% Rp<2% |
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112586 |
Fused silica | plane | Ø=25.0(-0.1)mm | t=6.35(±0.10)mm | //<5min S1: Øe21 | 3/0.2(0.2) [L/10] | 5/1x0.04; L1x0.004 | chamfer 0.3 ARp(45°,1030nm)<0.15% S2(^): Øe21 | 3/0.2(0.2) [L/10] | 5/2x0.04; L1x0.004 | chamfer 0.3 TFP(45°,1030nm) Rs>99.9% Rp<2% |
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121750 |
hin Film Polarizer, fs optimised: Fused silica | plane | 50.0(-0.1)mm x 20.0(-0.1)mm | t=3.05(±0.10)mm |//<5min S1: Øe42x17(oval) | 3/-(0.2) [L/10 reg.] | 5/3x0.04; L3x0.004 | chamfer 0.3 ARp(80°,990-1090nm)<2% S2(^): Øe42x17(oval) | 3/-(0.2) [L/10 reg.] | 5/3x0.04; L3x0.004 | chamfer 0.3 TFP(80°,990-1090nm) Rs>92% Rp<5% |GDD-Rs(80°,990-1090nm)|<10fs² |GDD-Tp(80°,990-1090nm)|<20fs² |
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204939 |
Fused silica | plane | Ø=25.0(-0.1)mm | t=6.35(±0.10)mm | wedge=30min S1: wedge side | Øe21 | 3/-(0.2) [L/10 reg.] | 5/2x0.04; L1x0.004 | chamfer 1.0 uncoated S2(^): Øe21 | 3/-(0.2) [L/10 reg.] | 5/2x0.04; L1x0.004 | chamfer 0.3 TFP(45°,1030nm) Rs>99.9% Rp<2% |
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101951 |
Fused silica | plane | Ø=25.0(-0.1)mm | t=6.35(±0.10)mm | //<5min S1: Øe21 | 3/0.2(0.2) [L/10] | 5/2x0.04; L1x0.004 | chamfer 0.3 uncoated S2(^): Øe21 | 3/0.2(0.2) [L/10] | 5/2x0.04; L1x0.004 | chamfer 0.3 TFP(66°,1000-1060nm) Rs>99.8% Rp<5% |
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101952 |
Fused Silica | plane | Ø=25.0(-0.1)mm | t=6.35(±0.10)mm | //<5min S1: Øe21 | 3/-(0.2) [L/10 reg.] | 5/1x0.04; L1x0.004 | chamfer 0.3 uncoated S2(^): Øe21 | 3/-(0.2) [L/10 reg.] | 5/2x0.04; L1x0.004 | chamfer 0.3 TFP(65°,1010-1065nm) Rs>99.8% Rp<5% |
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102237 |
Fused silica | plane | Ø=25.0(-0.1)mm | t=6.35(±0.1)mm | //<5min S1: Øe21 | 3/0.5(0.2) [L/10reg.] | 5/2x0.04; L1x0.004 | chamfer 0.3 uncoated S2(^): Øe21 | 3/0.5(0.2) [L/10reg.] | 5/2x0.04; L1x0.004 | chamfer 0.3 TFP(65°,1020-1070nm) Rs>99.8% Rp<5% |
