作者：黄f 时间：2026-02-10
Exail（原IXBlue）MPX-LN和MPZ-LN系列LiNbO₃相位调制器，构成了市场上针对1550nm波段的解决方案。该系列铌酸锂相位调制器涵盖从低频的MPX-LN-0.1（优化至300MHz）到超宽带的MPZ-LN-40（带宽高达40GHz）等多种型号，以其低半波电压（Vπ）、低插入损耗、以及覆盖C+L波段相位调制器的优异性能著称。这些调制器能够满足从精密实验室研究到苛刻工业系统的多样化需求。MPX-LN和MPZ-LN系列基于先进的铌酸锂技术设计，是高速光通信、微波光子学、量子技术和激光系统等领域的理想选择。
MPX-LN和MPZ-LN系列构成了市场上适用于1550nm波段的、最全面的电光相位调制器产品线。
MPZ-LN系列MPZ-LN-01，MPZ-LN-10，MPZ-LN-20，MPZ-LN-40等非常适用于带宽高达40GHz的宽带宽操作。该系列提供专用的调制器带宽型号，以实现高效的电光转换。
MPX-LN-0.1具有高阻抗输入，针对高达300MHz的调制频率进行了优化。
声光调制器与电光调制器差异：
AOM和EOM最根本的差异在于其物理原理，这直接导致了它们在性能、适用场景和系统复杂度上的不同。AOM利用声波对光的衍射效应，而EOM利用电场对晶体折射率的直接改变。在核心优势方面，AOM可处理高光学功率，EOM具备极高的调制速度。而相应也有缺点，AOM速度通常在百兆赫兹以下，存在插入损耗且速度越快损耗越高，EOM系统更为复杂，集成难度更高，输出功率不如AOM高。
目前我司可以提供Aerodiode的AOM产品以及Exail（原IXBlue）的EOM相关设备。
铌酸锂相位调制器特性：
-低至超宽电光带宽
-C与L波段
-低Vπ
-低插入损耗
铌酸锂相位调制器应用：
-边带生成
-光谱光束合成
-相干光束合成
-光学频率梳
-干涉测量传感
-频率偏移/展宽
-量子密钥分发
-庞德-德雷弗-霍尔锁定
-高速率数据通信
铌酸锂相位调制器选项：
-直流耦合
-低残余调制
-低插入损耗、高消光比、低Vπ
-高电输入功率
C+L波段相位调制器相关设备：
-匹配射频放大器
-相干光束合成调制器模块
电光调制器MPX-LN-0.1规格书：
|
参数 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|
电光带宽(MHz) |
S₂₁ |
|
|
150 |
|
|
可用电光带宽(MHz) |
S₂₁ |
|
|
300 |
|
|
Vπ RF @50kHz(V) |
Vπ RF 50kHz |
|
|
3.5 |
4 |
|
RF输入阻抗(Ω) |
Zin-RF |
|
|
10000 |
|
|
晶体 |
|
|
Lithium Niobate X-Cut Y-Prop |
||
|
波导工艺 |
|
|
Ti扩散 |
||
|
工作波长(nm) |
λ |
|
1530 |
1550 |
1625 |
|
插入损耗(dB) |
IL |
不带光纤连接器 |
|
2.7 |
3.5 |
|
光回波损耗(dB) |
ORL |
|
-40 |
-45 |
|
|
啁啾 |
α |
|
-0.1 |
|
0.1 |
|
调制电压范围(V) |
Vin
|
|
-20 |
|
+20 |
|
光输入功率(dBm) |
OPin
|
|
|
|
20 |
|
工作温度(°C) |
OT
|
|
0 |
|
+70 |
|
存储温度(°C) |
ST |
|
-40 |
|
+85 |
C+L波段相位调制器MPZ-LN-01规格书：
|
参数 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|
电光带宽(GHz) |
S₂₁ |
|
1 |
1.5 |
|
|
可用电光带宽(GHz) |
S₂₁ |
|
|
3 |
|
|
频率响应纹波S₂₁(dB) |
ΔS₂₁ |
|
|
0.5 |
|
|
电回波损耗(dB) |
S₁₁ |
|
|
-15 |
-12 |
|
Vπ RF @50kHz(V) |
Vπ RF 50kHz |
|
|
3 |
3.5 |
|
Vπ RF @1GHz/3GHz(V) |
Vπ RF 1GHz |
|
|
3.1/4.5 |
|
|
RF输入阻抗(Ω) |
Zin-RF |
|
|
50 |
|
|
Vπ DC电极(V) |
Vπ DC |
DCC选件，外壳 |
|
3 |
6 |
|
DC输入阻抗(MΩ) |
Zin-DC |
DCC选件，外壳 |
1 |
|
|
|
晶体 |
|
|
Lithium Niobate Z-Cut Y-Prop |
||
|
波导工艺 |
|
|
Ti扩散 |
||
|
工作波长(nm) |
λ |
|
1530 |
1550 |
1625 |
|
插入损耗(dB) |
IL |
不带光纤连接器 |
|
2.5 |
3.5 |
|
光回波损耗(dB) |
ORL |
|
-40 |
-45 |
|
|
RF输入功率(dBm) |
EPin
|
|
|
|
33 |
|
光输入功率(dBm) |
OPin
|
|
|
|
20 |
|
偏置电压(V) |
VDCC
|
DCC选件，外壳 |
-15 |
|
+15 |
|
工作温度(°C) |
OT
|
|
0 |
|
+70 |
|
存储温度(°C) |
ST |
|
-40 |
|
+85 |
C+L波段相位调制器MPZ-LN-10规格书：
|
参数 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|
电光带宽(GHz) |
S₂₁ |
|
10 |
12 |
|
|
可用电光带宽(GHz) |
S₂₁ |
|
|
16 |
|
|
频率响应纹波S₂₁(dB) |
ΔS₂₁ |
|
|
0.5 |
1 |
|
电回波损耗(dB) |
S₁₁ |
-/HEP选件 |
|
-17/-14 |
-14/-10 |
|
Vπ RF @50kHz(V) |
Vπ RF 50kHz |
|
|
4 |
5 |
|
Vπ RF @10GHz/16GHz(V) |
VπRF 10/16GHz |
|
|
6/9 |
|
|
RF输入阻抗(Ω) |
Zin-RF |
|
|
50 |
|
|
Vπ DC电极(V) |
Vπ DC |
DCC选件，外壳 |
|
4 |
7 |
|
DC输入阻抗(MΩ) |
Zin-DC |
DCC选件，外壳 |
1 |
|
|
|
晶体 |
|
|
Lithium Niobate Z-Cut Y-Prop |
||
|
波导工艺 |
|
|
Ti扩散 |
||
|
工作波长(nm) |
λ |
|
1530 |
1550 |
1625 |
|
插入损耗(dB) |
IL |
不带光纤/低插损 |
|
2.5/2 |
3.5/2.5 |
|
光回波损耗(dB) |
ORL |
|
-40 |
-45 |
|
|
RF输入功率(dBm) |
EPin
|
|
|
|
28 |
|
高电输入功率(dBm) |
HEPin
|
高电输入 |
|
|
33 |
|
光输入功率(dBm) |
OPin
|
|
|
|
20 |
|
偏置电压(V) |
VDCC
|
DCC选件，外壳 |
-15 |
|
+15 |
|
工作温度(°C) |
OT
|
|
0 |
|
+70 |
|
存储温度(°C) |
ST |
|
-40 |
|
+85 |
铌酸锂相位调制器MPZ-LN-10-LVP规格书：
|
参数 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|
电光带宽(GHz) |
S₂₁ |
|
10 |
12 |
|
|
可用电光带宽(GHz) |
S₂₁ |
|
|
20 |
|
|
频率响应纹波S₂₁(dB) |
ΔS₂₁ |
|
|
0.5 |
1 |
|
电回波损耗(dB) |
S₁₁ |
|
|
-14 |
-10 |
|
Vπ RF @50kHz(V) |
Vπ RF 50kHz |
LVP选件，外壳 |
|
3 |
4 |
|
Vπ RF @10GHz(V) |
Vπ RF 1GHz |
LVP选件，外壳 |
|
5 |
|
|
RF输入阻抗(Ω) |
Zin-RF |
|
|
50 |
|
|
晶体 |
|
|
Lithium Niobate Z-Cut X-Prop |
||
|
波导工艺 |
|
|
Ti扩散 |
||
|
工作波长(nm) |
λ |
|
1530 |
1550 |
1580 |
|
插入损耗(dB) |
IL |
不带光纤连接器 |
|
3 |
4 |
|
光回波损耗(dB) |
ORL |
|
-40 |
-45 |
|
|
RF输入功率(dBm) |
EPin
|
|
|
|
33 |
|
光输入功率(dBm) |
OPin
|
|
|
|
20 |
|
工作温度(°C) |
OT
|
|
0 |
|
+70 |
|
存储温度(°C) |
ST |
|
-40 |
|
+85 |
LiNbO₃相位调制器MPZ-LN-20规格书：
|
参数 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|
电光带宽(GHz) |
S₂₁ |
RF射频，2GHz |
20 |
25 |
|
|
可用电光带宽(GHz) |
S₂₁ |
RF射频，2GHz |
|
30 |
|
|
频率响应纹波S₂₁(dB) |
ΔS₂₁ |
|
|
0.5 |
1 |
|
电回波损耗(dB) |
S₁₁ |
|
|
-12 |
-10 |
|
Vπ RF @50kHz(V) |
Vπ RF 50kHz |
|
|
4.5 |
5.5 |
|
Vπ RF @20GHz/30GHz(V) |
VπRF 20/30GHz |
|
|
6.5/10 |
|
|
RF输入阻抗(Ω) |
Zin-RF |
|
|
50 |
|
|
晶体 |
|
|
Lithium Niobate Z-Cut Y-Prop |
||
|
波导工艺 |
|
|
Ti扩散 |
||
|
工作波长(nm) |
λ |
|
1530 |
1550 |
1625 |
|
插入损耗(dB) |
IL |
不带光纤连接器 |
|
2.5 |
3 |
|
光回波损耗(dB) |
ORL |
|
-40 |
-45 |
|
|
RF输入功率(dBm) |
EPin
|
|
|
|
28 |
|
光输入功率(dBm) |
OPin
|
|
|
|
20 |
|
工作温度(°C) |
OT
|
|
0 |
|
+70 |
|
存储温度(°C) |
ST |
|
-40 |
|
+85 |
LiNbO₃相位调制器MPZ-LN-40规格书：
|
参数 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|
电光带宽(GHz) |
S₂₁ |
RF射频，2GHz |
20 |
25 |
|
|
可用电光带宽(GHz) |
S₂₁ |
RF射频，2GHz |
|
30 |
|
|
频率响应纹波S₂₁(dB) |
ΔS₂₁ |
|
|
0.5 |
1 |
|
电回波损耗(dB) |
S₁₁ |
|
|
-12 |
-10 |
|
Vπ RF @50kHz(V) |
Vπ RF 50kHz |
|
|
4.5 |
5.5 |
|
Vπ RF @30GHz(V) |
Vπ RF 30GHz |
|
|
6.5/10 |
|
|
RF输入阻抗(Ω) |
Zin-RF |
|
|
50 |
|
|
晶体 |
|
|
Lithium Niobate Z-Cut Y-Prop |
||
|
波导工艺 |
|
|
Ti扩散 |
||
|
工作波长(nm) |
λ |
|
1530 |
1550 |
1625 |
|
插入损耗(dB) |
IL |
不带光纤连接器 |
|
2.5 |
3 |
|
光回波损耗(dB) |
ORL |
|
-40 |
-45 |
|
|
RF输入功率(dBm) |
EPin
|
|
|
|
28 |
|
光输入功率(dBm) |
OPin
|
|
|
|
20 |
|
工作温度(°C) |
OT
|
|
0 |
|
+70 |
|
存储温度(°C) |
ST |
|
-40 |
|
+85 |
除非另有说明，所有参数均在25°C、1550nm波长下给出，RF输入功率、偏置电压、光输入功率、工作与储存温度均为绝对最大额定值。超过绝对最大额定值的应力可能导致器件永久性损坏。这些仅为绝对应力额定值，并不意味着器件在这些条件或任何超过数据手册操作部分规定值的条件下能够正常工作。长时间处于绝对最大额定值条件下可能会对器件的可靠性产生不利影响。
LiNbO₃相位调制器MPX/MPZ-LN图纸与引脚：
|
端口 |
功能 |
|
IN |
光输入端口 |
|
OUT |
光输出端口 |
|
RF |
射频输入端口 |
|
1 |
接地 |
|
2 |
直流偏置 |
|
3,4 |
未连接 |
IN，OUT：保偏光纤，康宁PM15-U25D型，长度:1.5m，缓冲层直径:900um。RF：K型母头（兼容SMA）,MPZ-LN-40：母头2.4mm可与V/1.85mm对配。引脚1、2、3、4：穿心引脚直径1.0mm，适用于带壳DCC选件。
