作者：黄f 时间：2026-02-11
MPX-LN 和 MPZ-LN 系列构成了市场上适用于 1550 nm 波段的、最全面的电光相位调制器产品线。
MPZ-LN 系列 非常适用于带宽高达 40 GHz 的宽带宽操作。该系列提供专用的调制器带宽型号，以实现高效的电光转换。
MPX-LN-0.1电光调制器具有高阻抗输入，针对高达 300 MHz 的调制频率进行了优化。
MPX-LN 和 MPZ-LN 相位调制器采用先进且成熟的铌酸锂技术设计，易于操作和集成。这些调制器提供全面的可选配置（直流耦合、低 Vπ、低插入损耗、嵌入式偏振器、高电功率），可为从实验室实验到严苛工业系统的广泛应用提供最高性能。
工作波长1530~1580nm：MX-LN-0.1电光带宽100~400MHz；MX-LN-05电光带宽3~4GHz。
工作波长1530~1625nm：MX-LN-10电光带宽10~12GHz；MX-LN-20电光带宽20~25GHz；MX-LN-40电光带宽28~30GHz；
不同调制方式的差异：
常见调制方式为声光调制器AOM，电光调制器EOM，半导体调制器SOM，以及直接激光二极管调制。AOM具有高输入光功率，支持宽波段的特点，但开关速度慢，体积与功耗相对更大；EOM调制速度极快，但系统集成复杂且消光比低；SOM具备上面两者的优点，消光比高，开关速度快易于集成，但会引入自发辐射噪声；直接调制成本最低，系统构成简单，但调制能力有限。
电光调制器特性：
-低至超宽电光带宽
-C 与 L 波段
-低 Vπ
-低插入损耗
铌酸锂强度调制器应用：
-边带生成
-光谱光束合成
-相干光束合成
-光学频率梳
-干涉测量传感
-频率偏移 / 展宽
-量子密钥分发
-庞德-德雷弗-霍尔锁定
-高速率数据通信
铌酸锂强度调制器选项：
-直流耦合
-低残余调制
-低插入损耗、高消光比、低 Vπ
-高电输入功率
铌酸锂强度调制器相关设备：
-匹配射频放大器
-相干光束合成调制器模块
电光调制器MX-LN-0.1规格书：
|
参数 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|
电光带宽(MHz) |
S₂₁ |
RF电极 |
100 |
400 |
|
|
纹波S₂₁(dB) |
ΔS₂₁ |
RF电极 |
|
0.5 |
1 |
|
Vπ RF @50kHz(V) |
Vπ RF 50kHz |
RF电极@1550nm |
|
3.5 |
4 |
|
Vπ RF @200Mb/s PRBS(V) |
Vπ RF 200Mb/s |
RF电极@1550nm |
|
1.5 |
|
|
Vπ DC电极(V) |
Vπ DC |
DC电极 |
|
6.5 |
7 |
|
RF输入阻抗(Ω) |
Zin-RF |
从DC到400MHz |
高阻抗 |
|
|
|
DC输入阻抗(MΩ) |
Zin-DC |
|
1 |
|
|
|
晶体 |
|
|
Lithium Niobate X-Cut Y-Prop |
||
|
工作波长(nm) |
λ |
|
1530 |
1550 |
1580 |
|
插入损耗(dB) |
IL |
不带光纤连接器 |
|
3.5 |
4.5 |
|
直流消光比(dB) |
ER |
窄线宽光源测量 |
20 |
30 |
|
|
光回波损耗(dB) |
ORL |
|
-40 |
-45 |
|
|
啁啾 |
α |
|
-0.1 |
|
0.1 |
|
RF输入功率(dBm) |
EPin
|
|
|
|
N/A |
|
偏置电压(V) |
Vbias
|
|
-20 |
|
+20 |
|
光输入功率(dBm) |
OPin
|
|
|
|
20 |
|
工作温度(°C) |
OT
|
|
0 |
|
+70 |
|
存储温度(°C) |
ST |
|
-40 |
|
+85 |
C+L波段调制器MX-LN-05规格书：
|
参数 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|
电光带宽(GHz) |
S₂₁ |
RF电极 |
3 |
4 |
|
|
纹波S₂₁(dB) |
ΔS₂₁ |
RF电极 |
|
0.5 |
1 |
|
电回波损耗0-5 GHz(dB) |
S₁₁ |
RF电极 |
|
-13 |
-10 |
|
Vπ RF @50kHz(V) |
Vπ RF 50kHz |
RF电极@1550nm |
|
3.5 |
4 |
|
Vπ DC电极(V) |
Vπ DC |
DC电极 |
|
6.5 |
7 |
|
RF输入阻抗(Ω) |
Zin-RF |
|
|
50 |
|
|
DC输入阻抗(MΩ) |
Zin-DC |
|
1 |
|
|
|
晶体 |
|
|
Lithium Niobate X-Cut Y-Prop |
||
|
工作波长(nm) |
λ |
|
1530 |
1550 |
1580 |
|
插入损耗(dB) |
IL |
不带光纤连接器 |
|
3.5 |
4.5 |
|
直流消光比(dB) |
ER |
窄线宽光源测量 |
20 |
25 |
|
|
光回波损耗(dB) |
ORL |
|
-40 |
-45 |
|
|
啁啾 |
α |
|
-0.1 |
|
0.1 |
|
RF输入功率(dBm) |
EPin
|
|
|
|
28 |
|
偏置电压(V) |
Vbias
|
|
-20 |
|
+20 |
|
光输入功率(dBm) |
OPin
|
|
|
|
20 |
|
工作温度(°C) |
OT
|
|
0 |
|
+70 |
|
存储温度(°C) |
ST |
|
-40 |
|
+85 |
C+L波段调制器MX-LN-10规格书：
|
参数 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|
电光带宽(GHz) |
S₂₁ |
RF电极 |
10 |
12 |
|
|
纹波S₂₁(dB) |
ΔS₂₁ |
RF电极 |
|
0.5 |
1 |
|
电回波损耗0-5 GHz(dB) |
S₁₁ |
RF电极 |
|
-12 |
-10 |
|
Vπ RF @50kHz(V) |
Vπ RF 50kHz |
RF电极@1550nm |
|
5.5 |
6.5 |
|
Vπ RF @10Gb/s PRBS(V) |
Vπ RF 10Gb/s |
RF电极@1550nm |
|
6.5 |
7 |
|
Vπ DC电极(V) |
Vπ DC |
DC电极 |
|
4.2 |
7 |
|
RF输入阻抗(Ω) |
Zin-RF |
|
|
50 |
|
|
DC输入阻抗(MΩ) |
Zin-DC |
|
|
1 |
|
|
晶体 |
|
|
Lithium Niobate X-Cut Y-Prop |
||
|
工作波长(nm) |
λ |
|
1530 |
1550 |
1625 |
|
插入损耗(dB) |
IL |
不带光纤连接器 |
|
3.5 |
|
|
直流消光比(dB) |
ER |
窄线宽光源测量 |
20 |
22 |
|
|
光回波损耗(dB) |
ORL |
|
-40 |
-45 |
|
|
啁啾 |
α |
|
-0.1 |
0 |
0.1 |
|
RF输入功率(dBm) |
EPin
|
|
|
|
28 |
|
偏置电压(V) |
Vbias
|
|
-20 |
|
+20 |
|
光输入功率(dBm) |
OPin
|
|
|
|
20 |
|
工作温度(°C) |
OT
|
|
0 |
|
+70 |
|
存储温度(°C) |
ST |
|
-40 |
|
+85 |
C+L波段调制器MX-LN-20规格书：
|
参数 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|
电光带宽(GHz) |
S₂₁ |
RF电极，从2GHz |
20 |
25 |
|
|
纹波S₂₁(dB) |
ΔS₂₁ |
RF电极，f<2GHz |
|
0.5 |
1 |
|
电回波损耗0-5 GHz(dB) |
S₁₁ |
RF电极 |
|
-12 |
-10 |
|
Vπ RF @50kHz(V) |
Vπ RF 50kHz |
RF电极@1550nm |
|
5 |
5.5 |
|
Vπ RF @20Gb/s PRBS(V) |
Vπ RF 20Gb/s |
RF电极@1550nm |
|
5.5 |
6 |
|
Vπ DC电极(V) |
Vπ DC |
DC电极 |
|
6.5 |
7 |
|
RF输入阻抗(Ω) |
Zin-RF |
|
|
50 |
|
|
DC输入阻抗(MΩ) |
Zin-DC |
|
|
1 |
|
|
晶体 |
|
|
Lithium Niobate X-Cut Y-Prop |
||
|
工作波长(nm) |
λ |
|
1530 |
1550 |
1625 |
|
插入损耗(dB) |
IL |
不带光纤连接器 |
|
3.5 |
4.5 |
|
直流消光比(dB) |
ER |
窄线宽光源测量 |
20 |
22 |
|
|
光回波损耗(dB) |
ORL |
|
-40 |
-45 |
|
|
啁啾 |
α |
|
-0.1 |
0 |
0.1 |
|
RF输入功率(dBm) |
EPin
|
|
|
|
28 |
|
偏置电压(V) |
Vbias
|
|
-20 |
|
+20 |
|
光输入功率(dBm) |
OPin
|
|
|
|
20 |
|
工作温度(°C) |
OT
|
|
0 |
|
+70 |
|
存储温度(°C) |
ST |
|
-40 |
|
+85 |
LiNbO₃强度调制器MX-LN-40规格书：
|
参数 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|
电光带宽(GHz) |
S₂₁ |
RF电极，从2GHz |
28 |
30 |
|
|
纹波S₂₁(dB) |
ΔS₂₁ |
RF电极, f<30GHz |
|
0.5 |
1 |
|
电回波损耗0-5 GHz(dB) |
S₁₁ |
RF电极 |
|
-12 |
-10 |
|
Vπ RF @50kHz(V) |
Vπ RF 50kHz |
RF电极@1550nm |
|
5 |
6 |
|
Vπ DC电极(V) |
Vπ DC |
DC电极 |
|
6.5 |
7 |
|
RF输入阻抗(Ω) |
Zin-RF |
|
|
50 |
|
|
DC输入阻抗(MΩ) |
Zin-DC |
|
1 |
|
|
|
晶体 |
|
|
Lithium Niobate X-Cut Y-Prop |
||
|
工作波长(nm) |
λ |
|
1530 |
1550 |
1625 |
|
插入损耗(dB) |
IL |
不带光纤连接器 |
|
3.5 |
4.5 |
|
直流消光比(dB) |
ER |
窄线宽光源测量 |
20 |
22 |
|
|
光回波损耗(dB) |
ORL |
|
-40 |
-45 |
|
|
啁啾 |
α |
|
-0.1 |
0 |
0.1 |
|
RF输入功率(dBm) |
EPin
|
|
|
|
28 |
|
偏置电压(V) |
Vbias
|
|
-20 |
|
+20 |
|
光输入功率(dBm) |
OPin
|
|
|
|
20 |
|
工作温度(°C) |
OT
|
|
0 |
|
+70 |
|
存储温度(°C) |
ST |
|
-40 |
|
+85 |
除非另有说明，所有参数均在25°C、1550nm波长下给出，RF输入功率、偏置电压、光输入功率、工作与储存温度均为绝对最大额定值。超过绝对最大额定值的应力可能导致器件永久性损坏。这些仅为绝对应力额定值，并不意味着器件在这些条件或任何超过数据手册操作部分规定值的条件下能够正常工作。长时间处于绝对最大额定值条件下可能会对器件的可靠性产生不利影响。
LiNbO₃强度调制器MX-LN曲线：
LiNbO₃强度调制器MX-LN图纸与引脚：
|
端口 |
功能 |
|
IN |
光输入端口 |
|
OUT |
光输出端口 |
|
RF |
射频输入端口 |
|
1 |
接地 |
|
2 |
直流偏置 |
|
3,4 |
光电二极管阴，阳极 |
IN，OUT：保偏光纤，康宁PM15-U25D型，长度:1.5m，缓冲层直径:900um。RF：MX-LN-0.1/5/10：K型母头（兼容SMA）,MX-LN-20：K型母头或2.4mm,MX-LN-40：2.4mm母头兼容V/1.85mm连接器。端口1、2、3、4：穿心引脚，直径1.0mm。
