作者:余xl 时间:2026-06-30
Boston
Micromachines Corporation(BMC)推出的MEMS光栅调制器(微机电系统光栅调制器)MGR6P,是一种凹槽深度可控的反射式衍射光栅。消光比高达250:1,响应速度<2.5μs。未通电时处于平面镜状态,光束被直接反射;通电后凹槽深度发生变化,切换为衍射状态,实现对光束强度的调制。用户通过调节偏转深度可获得高消光比,从而精确控制输出光功率。可替代声光调制器或普克尔斯盒。
工作原理
MEMS光栅调制器(微机电系统光栅调制器)是一种反射式衍射光栅,其凹槽深度可控。该MEMS光栅调制器(微机电系统光栅调制器)通过在未通电的平面镜状态(如下图所示)和通电的衍射状态之间切换来调制强度。用户只需调节该反射式衍射光栅最大偏转深度,即可对光束中心强度进行高消光比调制。这为用户提供了更强的光控制能力,因为用户可以调节功率,从而确保在研究时能收集到最准确的信息。Boston Micromachines Corporation(BMC)在MGR6P设计上确保了凹槽深度可控,使得该MEMS光栅调制器具备卓越的波长适应性。
MGR6P器件基于BMC传统的可变形镜技术,采用无磁滞的静电驱动,使连续的反射镜面发生周期性形变。镜面与导电硅基底之间施加电压后,静电吸引导致镜面产生周期性波纹,形成衍射光栅。采用表面微加工技术,镜面为镀金或镀铝的氮化硅薄膜,通过氧化硅锚点支撑并与基底电隔离。使用标准半导体批处理工艺,适合大批量生产。最大沟槽深度约1μm,最小光栅周期约50μm。周期越小,刚度越大、谐振频率越高、开关速度越快,但相同电压下调制对比度会降低。
宽波长范围
每个衍射元件都设计为在特定波长范围内实现最佳性能。波长越长,为了在调制光束和非调制光束之间保持高对比度,所需的偏转就越大。这款由 Boston Micromachines Corporation(BMC)开发的光学强度调制器采用镀金膜,可实现从可见光到远红外(FIR)的波长调制,在可见光和近红外(NIR)波段具有峰值消光比,在远红外(FIR)波段消光比较低。为了达到峰值消光,用户只需在给定波长下调节偏转量即可。这可以通过使用状态良好的高压源来实现。Boston Micromachines Corporation强调,反射式衍射光栅的性能依赖于精确的凹槽深度可控设计,从而确保在不同波长下均能实现稳定调制。
可替代声光调制器和电光调制器
BMS的MEMS光栅调制器(微机电系统光栅调制器)MGR6P波长可调,频率范围从直流到200 kHz,可实现全调制,部分调制还可达到更高速度。声光调制器作为一种传统调制器件,在特定应用中存在局限性;而普克尔斯盒同样面临类似挑战。BMC的MEMS光栅调制器可替代声光调制器和普克尔斯盒,用于替代普克尔斯盒,尤其适用于需要更高通量的应用。MEMS光栅调制器已在激光通信、多光子显微镜等多种应用中证明了其多功能性,并且其性能可根据用户规格进行定制,以替代或增强其他组件。
MEMS光栅调制器标准型号
MGR6N
MGR6P
外壳尺寸(直径 x 长度)1,3
Ø1.30″ x 2.22″
Ø1.30″ x 2.22″
反射镀层1
金
金
频率范围
0至200
kHz
0至200
kHz
上升/下降时间:90%-10%
<2.5 μs
<2.5 μs
上升/下降时间:97%-3%
<4 μs
<4 μs
峰值消光比2
250:1在1060
nm¹
250:1在1350
nm¹
最佳波长范围1
600-1100 nm
550-2400 nm
峰值消光入射角
<10° (横向入射角)
<10° (横向入射角)
最大消光频率限制,-3 dB
100 kHz
100 kHz
有效孔径
Ø6.0 mm
Ø6.0 mm
总反射波前误差(峰谷值)
λ/4
λ/4
最大工作电压(与器件相关)
<200 V
<200 V
保护窗口
波长范围
650-1050 nm
550-1050 nm
角度
10°
10°
基底
N-BK7
N-BK7
可获取自
Thorlabs
BMC
产品形态与MRR应用
封装在标准1英寸光学透镜管内,安装在PCB上,通过BNC接口连接。可配合MB-200驱动器使用,接受用户生成的TTL信号。
MRR(调制逆反射镜)的工作原理是:将一个MEMS光学调制器作为空心角锥棱镜的一个反射面,当interrogator(interrogator)激光束照射到角锥上时,角锥的几何特性会使光束原路返回。在反射过程中,通过向MEMS调制器施加电压,控制其镜面在“平坦的平面镜状态”和“带沟槽的衍射光栅状态”之间快速切换,从而对返回光束的强度进行调制。这样,interrogator端接收到的就不再是恒定的反射光,而是携带了数据的调制光信号,实现了从MRR端向interrogator端的单向光通信。
使用注意事项
- 本产品对静电敏感。请在具备静电防护措施的环境中操作,并务必佩戴接地良好的防静电腕带,以防损坏。
- 在光路中紧贴光栅出射面之后的位置放置光阑,挡除非目标衍射级次;若光束过宽,请增大光学元件与光栅的距离以避免光束重叠。
- 需配合噪声不超过最大额定电压的高压电源使用,使用前请确认电源控制电压无尖峰(否则会造成不可逆损坏),建议在电源与设备之间安装开关以便在需要时断开连接。