Opto diode雪崩光电二极管，ODD-APD-001/002/003，Si和InGaSe材质，高增益、低噪声

作者：郭sy 时间：2026-02-13

Opto Diode雪崩光电二极管APD系列可在400纳米至1700纳米的宽光谱范围内实现高增益、低噪声检测。该铟镓砷雪崩光电探测器APD采用气密密封设计，具有快速响应和卓越灵敏度，低噪声APD非常适用于激光雷达、激光测距、光谱分析、光通信及科学仪器等严苛应用。低噪声APD提供铟镓砷（InGaAs）和硅（Si）两种材料型号，可满足可见光、近红外（NIR）及短波红外（SWIR）的检测需求。

铟镓砷雪崩光电探测器：高增益与低噪声性能特点

-高增益灵敏度

-低噪声性能

-快速响应

Opto Diode雪崩光电二极管APD应用领域

-激光雷达与激光测距

-光谱分析与科学仪器

-自动驾驶与安全传感

-自动驾驶车辆障碍物检测

-自由空间光学通信

-光学速度测量

InGaSe雪崩光电二极管型号/编号	零件编号	描述	有效面积	认证和合规性
ODD-APD-003-1550-IGA-T46	ODD-APD-001	铟镓砷雪崩光电二极管900nm-1700nm	0.31mm²	ROHS Reach
ODD-APD-020-905-SI-T46	ODD-APD-002	硅雪崩光电二极管 400-1100nm	0.2mm²	ROHS Reach
ODD-APD-020-1064-SI-T46	ODD-APD-003	硅雪崩光电二极管 400-1100nm	0.2mm²	ROHS Reach

ODD-APD-001铟镓砷雪崩光电探测器在在25°下的电光特性

铟镓砷雪崩光电二极管参数	测试条件	Min	Typ	Max	单位
有效面积	Ø0.2mm		0.031		mm2
响应波长	-	900-1700nm
铟镓砷雪崩光电二极管响应	λ=1550nm, M=1	0.9	1.0	-	A/W
VOP (Gain = M)	λ=1550nm, M=10	32	-	50	-
VOP (Gain = M)	λ=1550nm, M=30	34	-	50	-
暗电流，ld	M=10	-	8.0	50.0	nA
暗电流，ld	M=30	-	8.0	50.0	nA
-3dB截止频率(带宽)	M=10, RL=50W	0.6	1.25	-	GHz
电容C	M=10, f=1MHz	-	1.8	2.0	pF
温度系数	IR=10uA,-55°C~ 85°C	0.07	0.11	0.15	V/°C
封装	-	TO-46			-

ODD-APD-001铟镓砷雪崩光电探测器热参数

铟镓砷雪崩光电探测器参数	Min	MAX	单位
低噪声APD供电电压	-	VBR	V
工作温度	-40	+85	°C
存储温度	-55	+125	°C
正向电流IF	-	5	mA
反向电流IR	-	3	mA
引线焊接温度	-	260	°C

InGaSe雪崩光电二极管典型增益与反向偏置图

铟镓砷雪崩光电二极管典型暗电流与反向偏置的关系

尺寸单位为英寸（公制）

ODD-APD-002硅雪崩光电二极管APD在25°下的电光特性

参数	测试条件	Min	Typ	Max	单位
有效面积	Ø0.5mm		0.2		mm2
响应波长	-	400-1100nm
响应	λ=905nm, M=1	0.5	0.55	-	A/W
VOP (Gain = M)	λ=905nm, M=100	95	-	209	V
VOP (Gain = M)	λ=905nm, M=30	34	-	50	V
暗电流，ld	M=100	0.2	0.4	1.0	nA
上升时间，ts	λ=905nm, f=1MHz,RL=50Ω	-	0.5	1.5	nS
电容C	M=100, f=1MHz	-	1.2		pF
温度系数	IR=10uA,-40°C~ 85°C		0.9		V/°C
反向击穿电压	IR=10µA	100	-	200	V
封装	-	TO-46			-

ODD-APD-002硅雪崩光电二极管APD热参数

硅雪崩光电二极管APD参数	Min	MAX	单位
APD供电电压	-	0.95*VBR	V
工作温度	-45	+85	°C
存储温度	-45	+100	°C
正向电流IF	-	5	mA
引线焊接温度	-	260	°C

典型增益与反向偏置图

典型暗电流与反向偏置的关系

Opto diode雪崩光电二极管ODD-APD-003在在25°下的电光特性

InGaSe雪崩光电二极管参数	测试条件	Min	Typ	Max	单位
有效面积	Ø0.5mm		0.2		mm2
响应波长	-	400-1100nm
响应	λ=1064nm, M=1	0.3	0.36	-	A/W
VOP (Gain = M)	λ=1064nm, M=100	332	-	437	V
暗电流，ld	M=100	-	5.0	12.0	nA
上升时间，ts	λ=1064nm, f=1MHz,RL=50Ω	-	2.0	-	nS
电容C	M=100, f=1MHz	-	2.5	4.0	pF
温度系数	IR=10uA，-40°C~ 85°C	-	2.4	3.0	V/°C
反向击穿电压	IR=10µA	350	-	460	V
封装	-	TO-46			-

Opto diode雪崩光电二极管ODD-APD-003热参数

参数	Min	MAX	单位
APD供电电压	-	0.95*VBR	V
工作温度	-45	+85	°C
存储温度	-45	+100	°C
正向电流IF	-	5	mA
引线焊接温度	-	260	°C

典型增益与反向偏置图

典型暗电流与反向偏置

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Opto diode雪崩光电二极管，ODD-APD-001/002/003，Si和InGaSe材质，高增益、低噪声

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