AeroDIODE硅/铟镓砷光电二极管,波长300-1100nm,带宽3GHz,带读出电路的可切换增益硅光电探测器

AeroDIODE推出新产品硅光电二极管解决方案，该铟镓砷硅光电二极管可作为独立组件提供，也可以集成到3种可切换增益的光电探测器中。集成解决方案提供多个输出的光电探测器，也可根据客户需求定制产品。这些硅光电二极管探测器结合了超低暗电流和快速响应时间，具有多GHz带宽。单独的铟镓砷硅光电二极管有光纤或自由空间版本。光纤硅 PIN 光电二极管型号适用于使用多模或单模光纤收集光，具有增强灵敏度的自由空间大传感器型号则具有扩展的红外探测范围和宽松的空间容差。对于铟镓砷光电二极管特别设计了一种光纤红外探测器模型，以优化集成到光纤放大器、光纤激光器、电信产品或工业产品中的价格性能比。

单独的光电二极管人民币价格在两千元左右，光纤耦合版本在3000元附近；适配二极管的探测器/驱动，带简单偏置电路的B版本价格在8000元附近，可切换增益的VG版本价格在18000元附近，可切换增益且具有跨阻放大器(带读出电路)的VGT版本在20000元附近。

硅Si/铟镓砷InGaAs光电二极管特点

-纳秒脉冲至连续波；

-Si带宽高达3GHz，铟镓砷光电二极管带宽高达10GHz；

-硅PIN探测器波长范围：300-1100nm；红外PIN探测器波长范围：800-1700nm；

-Si超高动态输入高达100mW连续波；铟镓砷光电二极管超高频动态输入高达80mW CW；

-极低噪声，硅光电探测器噪声等效功率低至9fW/√Hz；InGaAs光电探测器NEP低至4.5fW/√Hz；

-Si超低暗电流低至10pA；InGaAs低至50pA；

-FC连接器光纤输入（其他按需）；

-SM1和C型自由空间适配器；

-可切换的光电二极管放大器增益高达10^7^；

-多个SMA输出，在速度和增益之间取得最佳平衡；

-锂电池和直流供电；

-可切换的直流滤波器；

-可调节阈值的互锁输出功能（非常适合安全设置）；

-LED过载；

使用AeroDIODE超低噪声驱动器和InGaAs-PD-1-VG型AeroDIODE 光电二极管模型，在1310纳米处对DFB进行RIN测量示例。该光电二极管与标准噪声分析仪结合，使底线在10 kHz及以上频率下可降至-175 dBc/Hz。

选型指导，选择光电二极管

对于Si光电二极管，Model 1适用于收集多模光纤（含）传输的光信号，兼容任何单模光纤，支持FC/APC或FC/PC连接器；Model 2适用于FC/APC连接器的单模光纤应用，或在无电子元件情况下进行熔接使用；Model 3适用于大面积自由空间传感器，具备高灵敏度、扩展红外探测能力及良好的空间容差，易于安装。

对于InGaAs光电二极管，Model 1适用于收集多模光纤（含）传输的光信号，兼容任何单模光纤，支持FC/APC或FC/PC连接器；Model 2理想用于电信、光纤放大器或光纤激光器等单模光纤应用；Model 2a仅适用于短脉冲（皮秒/纳秒级）应用，不适合高灵敏度要求的场景；Model 3适用于大面积自由空间传感器，具备高灵敏度和良好的空间容差，适合对探测灵敏度要求较高的应用。

选择光电探测器

Version A（独立型，无内置电子电路）：为裸露的光电二极管，不包含任何放大或信号处理电路，用户可自行将其集成到自定义的电子系统中，适合需要灵活设计和高度定制化的应用。

Version B（简单偏置版）：配备基础电子单元，具有高速性能，适用于对响应速度要求较高的场景。该版本由长寿命锂电池供电（同时也支持直流电源供电），输出增益为50 V/A，结构紧凑，易于部署。

Version VG（可变增益版，用户可切换）：是一款一体化的可变增益解决方案，支持多档增益调节（50 至 5×10⁵ V/A），可根据需求在低噪声、高灵敏度或高速模式之间切换。该版本特别适用于计量学、相对强度噪声（RIN）测量、光谱分析仪等多种应用，且具备高功率兼容性（可达数十毫瓦级），可有效避免散粒噪声干扰。

Version VGT（带专用跨阻放大器的可变增益版）：集成了高性能跨阻放大器（TIA，TIA是读出电路的核心配置），提供高达 10³ 至 10⁷ V/A 的可调增益，专为超高灵敏度检测优化。该读出电路版本支持锁相放大器配置，实现超低光强信号的精确探测，适用于微弱光信号测量等高精度场景。但其不适用于皮秒级时间分辨率或高光学功率的应用。