作者：郭sy 时间：2026-07-22
Opto Diode提供完全可定制的AXUV和SXUV光电二极管，适用于深紫外和极紫外检测领域，支持先进的半导体光刻技术软X射线计量学以及科学研究仪器。凭借位于美国晶圆的制造和符合ITAR规定的生产流程，我们的光电二极管能够提供可溯源、高可靠性的性能，以满足精密光学系统的需求。Opto Diode推出AXUV、SXUV EUV探测器，依托高度定制化产品方案，精准攻克各类探测难题，兼具测量精度与长期使用稳定性。
极紫外光电二极管和深紫外光电二极管按需定制，极致适配精密探测需求
与标准通用型探测器不同，Opto diode极紫外探测器、深紫外光电探测器可根据设备的各项硬性指标量身配置，研发工程师可自主调整以下参数：
1.感光区域尺寸与外形结构，从小型检测区域到10mm×10mm的大型有源区
2.光谱响应特性，搭配精密薄膜滤光片实现光谱响应度调谐；
3. 电学特性如电容、上升时间和下降时间可针对快速响应进行优化
4.集成放大模块，探测器内部搭载一级信号调理电路。
全方位定制化设计，可适配多场景最优工作状态，覆盖13.5纳米极紫外光刻检测、1–190纳米软X射线探测等各类情况。
极紫外光电二极管和深紫外光电二极管核心应用领域
Opto diode极紫外光电二极管、深紫外光电二极管性能经受严苛工况验证，全球多领域广泛应用。
半导体光刻工艺：新一代芯片产制造13.5nm光源功率监测
软X射线计量检测：1–80nm波段高精度参数测量
临界尺寸扫描电镜（CD-SEM）：用于纳米级成像与工艺管控
航天机载紫外探测：特殊结构设计，适配真空、洁净室环境，耐用性优异
精工设计，保障长期稳定可靠
凭借超过四十年的光电二极管设计经验，Optodiode提供可直接应用的解决方案，采用密封、低放气的机械封装，适用于真空和洁净室集成。通过减少对外部光学和滤波组件的依赖，我们的探测器可简化系统集成、提高测量精度，并加速半导体、科学研究和航空航天平台的开发进程。
精选产品一览
1.SXUV100TF135：内置12–18nm滤光片极紫外光电二极管，13.5nm波段响应度0.09安/瓦
2.SXUV20HS1：高速极紫外探测器，探测波段1–190nm
3.AXUV100TF400：大感光面积探测器，内置滤光片，适配18–80nm波段检测
4.AXUVPS7：四象限电子背散射探测器，响应波段覆盖 0.0124–190nm
Opto Diode的定制EUV探测器和DUV探测器将背照式硅光电二极管与集成薄膜干涉滤光片相结合，专为窄带检测（例如13.5nmEUV、1–80nm软X射线）优化。这些滤光片具有高带内透射率，同时提供OD4至OD6的带外阻挡能力，并针对特定入射角、基底材料和真空条件进行了专门设计。产品可提供单片探测器、滤光片组件或独立部件等形式，能够在光刻、计量以及带集成滤光片的100mm²光电二极管（象限电子背散射探测器）等应用中实现精确、高可靠性的测量。
SXUV光电探测器的设计考虑了耐用性和性能，可承受实验室和实验室的严格使用。工业环境，确保长期可靠性，无论您从事的是尖端半导体制造，还是先进的材料rials研究或关键质量保证，SXUV系列EUV探测器是您实现卓越性能和精度的首选解决方案。
AXUV系列光电探测器具有极高的量子效率和稳定的响应特性，能够覆盖软X射线光谱(1nm至约190nm)的整个范围，这对于需要在科学仪器、先进半导体工艺监测、软X射线成像和精密工业计量等领域实现绝对辐射测量精度的应用至关重要。部分AXUV型号还被配置为背散射探测器，能够用于在光束线诊断和表面分析系统中检测反射或二次发射的X射线。
总结：无论是半导体晶圆工厂，还是航天科研实验室，Optodiode AXUV深紫外光电二极管、SXUV系列极紫外探测器均可提供充足定制空间与超高探测精度，助力全球顶尖高端技术迭代升级。多样化感光面结构、内置滤光片、可选集成放大模块等优势，让光电探测器在关键工况下稳定输出高性能探测结果
