作者:包cx 时间:2026-09-11
1560nm光纤耦合式太赫兹光电导天线是专为1560nm飞秒激光系统设计的高性能太赫兹辐射源。该THz光电导天线采用光纤激光耦合方式,配备高阻硅透镜,在封装结构上实现了紧凑集成,封装尺寸为φ24.95mm×35mm。在核心性能指标方面,这款1560nm光纤耦合式太赫兹光电导天线可提供超过30μW的输出功率,输出带宽达到4THz,动态范围高达80dB。这款THz-PCA天线的激发光中心波长为1560nm,适配平均激光功率30mW、飞秒激光脉宽100fs的激发条件,偏压值为100V。高阻硅透镜的集成有效提升了太赫兹波的耦合效率与输出准直性。太赫兹光导天线作为太赫兹时域脉冲信号产生和探测的关键部件,这款1560nm光纤耦合式太赫兹光电导天线凭借其出色的带宽和动态范围,在材料物性表征等应用中具有显著优势。
800nm太赫兹光电导天线是专为800nm飞秒激光系统设计的太赫兹辐射与探测器件。与1560nm光纤耦合式太赫兹光电导天线不同,该产品采用自由空间激光耦合方式,配备SMA电学接口,同样搭载高阻硅透镜以优化太赫兹波输出特性。封装尺寸为20×40×15mm,结构更为紧凑。
在性能表现上,这款800nm太赫兹光电导天线的输出功率大于50μW,输出带宽大于3THz,动态范围大于65dB。THz光电导天线的最大偏压值为±150V,偏压调制频率范围为0-10MHz。THz-PCA天线的激发光中心波长为800nm,要求线性偏振,平均激光功率小于150mW,激光光束直径50-100μm,激光脉冲时间约100fs,暗电阻大于1MΩ。偏压与输出连接器均采用SMA接口,保存温度范围为-10~65℃。800nm波长的太赫兹光导天线通常采用LT-GaAs作为吸收层材料,具有高耐暗性和短弛豫时间(<1ps)的优势。
THz光电导天线的参数对比:
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性能指标 |
1560nm光纤耦合式太赫兹光电导天线 |
800nm太赫兹光电导天线 |
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输出功率 |
30μW |
>50μW |
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输出带宽 |
4THz |
>3THz |
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动态范围 |
80dB |
>65dB |
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偏压值 |
100V |
±150V |
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激发光中心波长 |
1560nm |
800nm |
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平均激光功率 |
30mW |
<150mW |
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飞秒激光脉宽 |
100fs |
~100fs |
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封装尺寸 |
φ24.95mm×35mm |
20×40×15mm |
THz-PCA天线示意图1560nm(左),800nm(右)
1560nm光纤耦合式太赫兹光电导天线典型THz光谱和THz脉冲波图
800nm太赫兹光电导天线典型THz脉冲波形和THz光谱图
在应用场景方面,1560nm光纤耦合式太赫兹光电导天线凭借其光纤耦合式设计带来的灵活性,更适用于需要远程传输、系统集成度高的太赫兹时域光谱测量场景;而800nm太赫兹光电导天线则以其高输出功率优势,在对太赫兹辐射强度要求较高的应用中表现突出。两款THz-PCA天线产品均适用于太赫兹时域光谱测量、材料物性表征以及太赫兹成像等领域。