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短波红外LED芯片

EPIGAP短波红外LED芯片发射波长范围在1000至2500纳米之间，可以应用于机器视觉领、安防与监控等。短波红外发光二极管优势是在波长、芯片尺寸以及极性方面的具有多样化。SWIR LED芯片有GaAs和InGaAs两种材料，近红外LED芯片又可以称为GaAs LED芯片、红外InGaAs LED芯片和SWIR LED。

所属品牌： 德国EPIGAP OSA Photonics

应用类型：

产品型号：EOLC-1020-17，EOLC-1300-21，EOLC-1900-21-1等

负责人：郭工
联系电话：13434776712 电子邮箱：syguo@welloptics.cn

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短波红外LED芯片，1000-2500nm

我们生产和供应从紫外光到红外光的SWIR LED芯片，具有高效率和卓越的可靠性。短波红外LED芯片在波长、芯片尺寸以及极性方面的多样化是我们的独特优势，使我们能够根据具体应用需求进行选择和定制近红外LED芯片。如需更严格的规格要求，可应要求提供短波红外发光二极管芯片预筛选服务。

EPIGAP短波红外线(SWIR)LED的发射波长范围在1000至2500纳米之间。这些短波红外发光二极管特别适用于机器视觉领域，因为它们对人眼不可见，并能够揭示物体材料特性的信息。某些波长还具有其他独特特性，例如在玻璃或大气中的低吸收率。短波红外发光二极管 (SWIR LED) 也应用于安防或医疗领域。

EPIGAPSWIR LED芯片有GaAs和InGaAs两种材料，近红外LED芯片又可以称为GaAs LED芯片、红外InGaAs LED芯片和SWIR LED。

我们提供上述以及其他类型的短波红外LED芯片，亦有表面贴装器件(SMD)形式可选。

EPIGAPSWIR LED芯片应用：

-工业机器视觉

-安防与监控

-医疗与生命科学

-红外感应

-高功率应用

EPIGAP短波红外LED芯片型号

SWIR LED型号	尺寸μm	材料	极性	电压V	电流mA	输出功率mW	波长nm	FWHM nm
EOLC-1020-17	365	GaAs	P-up	1.25	20	3	1020	35
EOLC-1020-11	960	GaAs	P-up	1.15	350	8.5	1020	40
EOLC-1040-27	350	GaAs	N-up	1.25	120		1040	33
EOLC-1050-17-1	365	GaAs	P-up	1.15	20	4.5	1050	80
EOLC-1050-11	960	GaAs	P-up	1.15	350	20	1050	60
EOLC-1060-17-1	365	GaAs	P-up	1.25	100	4	1060	80
EOLC-1060-11	960	GaAs	P-up		50	3.5	1060
EOLC-1070-25	350	InGaAs	N-up	1.28	100	47	1070	38
EOLC-1140-17	365	InGaAs	P-up	1.2	100	3.5	1140	70
EOLC-1140-11	960	InGaAs	P-up	1.05	350	4	1140	60
EOLC-1200-27	350	InGaAs	N-up	1	100	14.4	1200	62
EOLC-1200-27-1	350	InGaAs	N-up	1.35	100	18.8	1200	51
EOLC-1200-21	1080	InGaAs	N-up	1.33	1000	110	1200	74
EOLC-1200-21-1	1080	InGaAs	N-up	1.28	1000	154	1200	50
EOLC-1300-27	350	InGaAs	N-up	1	100	19.5	1300	95
EOLC-1300-27-1	350	InGaAs	N-up	1.35	100	20.1	1300	59
EOLC-1300-21	1080	InGaAs	N-up	1.28	1000	85	1300	94
EOLC-1300-21-1	1080	InGaAs	N-up	1.25	1000	171	1300	48
EOLC-1350-27-1	350	InGaAs	N-up	1.24	100	17.5	1350	61
EOLC-1350-21-1	1080	InGaAs	N-up	1.25	1000	174	1350	49
EOLC-1450-21	1080	InGaAs	N-up	1	1000	50	1450	75
EOLC-1450-27	350	InGaAs	N-up	0.91	20	3.8	1450	95
EOLC-1460-27	350	InGaAs	N-up	0.91	20	3.8	1450	95
EOLC-1460-27-1	350	InGaAs	N-up	1.2	100	15	1460	59
EOLC-1460-21-1	1080	InGaAs	N-up	1.2	1000	130	1460	69
EOLC-1550-27	350	InGaAs	N-up	0.9	120	6.8	1550	109
EOLC-1550-27-1	350	InGaAs	N-up	1.2	100	11.9	1550	98
EOLC-1550-21	1080	InGaAs	N-up	0.74	1000	50	1550	120
EOLC-1550-21-1	1080	InGaAs	N-up	1.15	1000	101	1550	98
EOLC-1650-27	350	InGaAs	N-up	1.15	100	8.5	1065	106
EOLC-1650-21	1080	InGaAs	N-up	1.15	1000	78	1065	86
EOLC-1720-27	350	InGaAs	N-up	0.8	100	1.8	1720
EOLC-1720-21	1080	InGaAs	N-up	0.67	1000	59	1720	95
EOLC-1720-21-1	1080	InGaAs	N-up	1.1	1000	6.2	1720	129
EOLC-1900-27-1	350	InGaAs	N-up	1.15	100	48	1900	122
EOLC-1900-21-1	1080	InGaAs	N-up	1.1	1000	6.8	1900	109

EOLC-1060-17-1二维图纸

红外InGaAs LED芯片EOLC-1200-21-1

红外InGaAs LED芯片EOLC-1200-21-1典型的光电特性，测试条件25℃

参数	符号	条件	最小值	典型值	最大值	单位
发射颜色			红外
正向电压	Vf	If=100mA		0.96		V
		If = 1000 mA		1.28		V
峰值波长	λD	If=100mA	1170	1200	1230	nm
FWHM	Δλ	If=100mA		50		nm
辐射功率	P_o	If=100mA		26		mW
		If = 1000 mA		154		mW
反向电流	I_R	VR = 5 V			5	µA
上升时间	T_R	If = 100 mA		66		ns
下降时间	T_F	If = 100 mA		99		ns