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普克尔斯盒

普克尔斯盒

普克尔斯盒常用于200nm-2000nm范围的电光调Q,其能给晶体施加电压从而改变光偏振态,具有低吸收率和小体积的特点。EKSMA OPTICS提供三种不同晶体类型的普克尔斯盒,包括:KTP普克尔斯盒,DKDP普克尔斯盒,BBO普克尔斯盒。他们能产生的最大的电压为6.8kV DC,每个标准品的普克尔盒上都镀有1064nm的保护膜,保证性能且增强了使用寿命,同时可以根据用户需求提供其他波长增透膜定制。

所属品牌: 欧洲厂商

应用类型:

产品型号:PC5S、PCK4、PCB3S

负责人:刘工
联系电话:13691926712 电子邮箱:sales@welloptics.cn

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200-2000nm,6.8kVBBOKPP,DKDPBBO普克尔斯盒

 

立陶宛EKSMA OPTICS品牌的普克尔斯盒可根据其晶体材质的不同分为三种类型: KTPDKDPBBO普克尔斯盒。其能覆盖波段高达200-2000nm,具有体积小,低吸收率的特点。普克尔斯盒的光偏振态会随着施加电压的变化而变化。将其与偏振器件配合使用,会非常轻易实现高速的光学开关。一般应用包括Q开关,激光腔倒空,光学斩波器,以及再生放大器的光耦合。

其中KTP普克尔斯盒能产生2.5 kV DC的电压,DKDP普克尔斯盒电压高达6.8 kV DCBBO普克尔斯盒产生的电压高达4.6 kV DC

标准产品为1064nm的增透膜,同时可以根据用户需求提供其他波长增透膜定制。激光损伤阈值为:>5J/cm210ns@1064nm

 

应用:

高重频DPSS Q开关  1 kHz – 1 MHz

高重频再生放大器控制

激光腔倒空

光学斩波器

高重复频率激光器脉冲选择器

一、DKDP普克尔斯盒

DKDP(KD*P)电光晶体镀有抗高功率损伤的介质膜,还对PC12SRD-Compact系列普克尔斯盒附有AR镀膜的保护窗片,保证性能的同时,还大大的提高了产品的使用寿命,能适用于各种极端环境中。

DKDPKD*P)普克尔盒特点:

结构紧致

超低吸收

400 nm-1100 nm范围

 

型号参数:

型号

PC5S

PC5D

PC10S

PC12SR

D-compact/9

D-compact/12

有效孔径直径

4.5×4.5 mm

9.5×9.5 mm

Ф11 mm

Ф8 mm

Ф11 mm

晶体数量

1

2

1

1064nm半波电压

6.5 kV DC

3.4 kV DC

6.8 kV DC

电容

1 , 5 pF

3 pF

4 pF

6 pF

6 pF

6 pF

光学透过率

 97%

消光比

 1:2000

 1:1000

 1:2000

 1:2000

 1:2000

 1:2000

普克尔斯盒尺寸

20×16×28.5

23×16×52

22×18×33

Ф35×41

Ф25.4×35

Ф25.4×39 mm

 

二、KTP普克尔斯盒

PCK系列KTP普克尔斯盒基于特殊的高电阻率KTP晶体。与RTP晶体相比,KTP晶体具有非常良好的光学均匀性和高损伤阈值。其卓越的性能可胜任高负荷强度工作,并能在高电压条件下长时间稳定运行。

KTP普克尔斯盒特点:

BBO普克尔斯盒相比,所需HV电压小两倍

可在高负荷强度下连续工作

超低压电振铃效应

标准产品孔径:3×34×46×68×8

 

型号参数:

型号

PCK4

PCK4-O

PCK6

PCK6-O

有效孔径直径

3.5 mm

5.5 mm

晶体尺寸

4*4*10 mm

6*6*10 mm

晶体数量

2

1064nm半波电压

1.8 kV DC

2.5 kV DC

电容

4 pF

6 pF

光学透过率

 98%

对比度

 1:500

普克尔斯盒尺寸

25.4*42.2 mm

25*11.1*7.5 mm

25.4*42.2 mm

25*13.8*10.6 mm

 

三、BBO普克尔斯盒

BBO电光晶体普克尔盒工作波段可以从200nm2000nm,低振铃效应使得BBO普克尔盒适合用于高功率,高重复频率激光器。配合合适的快速普克尔盒开光驱动器,BBO普克尔盒可以用于Q开关,腔倒空等应用。BBO晶体电光系数低,需要较高的操作电压。对于2.5mm口径的器件,其1/4电压为4Kv@1064nm

标准产品为1064nm的增透膜,同时可以根据用户需求提供其他波长增透膜定制。

激光损伤阈值:>5J/cm210ns@1064nm

BBO普克尔盒特点:

低压电振铃效应

低吸收损耗

透过率范围200 nm-2000 nm

结构紧凑

BBO普克尔斯盒型号:

型号

PCB3S

PCB3D

PCB4S

PCB34D

有效孔径直径

2.5 mm

3.5 mm

晶体数量

1

2

1

2

1064nm半波电压

3.4 kV DC

1.7 kV DC

4.6 kV DC

2.3 kV DC

电容

4 pF

6 pF

3 pF

6 pF

光学透过率

 98%

消光比

 1000:1

 500:1

 1000:1

 500:1

普克尔斯盒尺寸

Ф25.4×37.2 mm

Ф25.4×57.2 mm

Ф25.4×37.2 mm

Ф25.4×57.2 mm

 


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