LASER COMPONENTS除了边长为2.5至60mm的标准PSD标准型号外，还提供增强UV响应和YAG激光优化型一维探测器、NT系列集成杂散光抑制一维位置感应PSD与ES系列更高光谱灵敏度的位敏探测器PSD。LASERCOMPONENTS一维位敏探测器位置非线性±0.1%，具有ns级上升时间，在偏置电压5-20V下工作，最大工作温度为70°C且最大存储温度为100°C，一维PSD的温度漂移为20pm/°C。这些LASERCOMPONENTS一维PSD可以沿一个轴连续检测激光光斑的位置，且拥有三个触点。
所属品牌：
应用类型：
产品型号：1L10_CP2，1L5NT_CP1，1L30UV_SU2，1L60_SU34，1L10_SU70，1L5UV_CP2
负责人：黄帆
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电子邮箱：sales12@welloptics.cn
位置非线性±0.1%，上升时间ns级，2.5至60mm的一维位敏探测器
LASER COMPONENTS的一维位置敏感探测器（PSD），其工作原理与一般的光电二极管类似，但与一般光电二极管不同的是，LASERCOMPONENTS一维位敏探测器具备多个电触点。这使得光电流在电触点的分布直接受激光光斑的位置分布的影响。
LASERCOMPONENTS一维位敏探测器的温度漂移为20ppm/°C，在偏置电压5-20V下工作，最大工作温度为70°C且最大存储温度为100°C。一般可以通过两个相对触点间的电流差可计算位置坐标。PSD位置探测器可以沿一个轴连续检测激光光斑的位置，拥有三个触点。
LASERCOMPONENTS一维位置感应探测器的位置坐标可通过两个相对触点间的电流差计算得出。当总电流经归一化处理后，位置信号将完全不受入射激光强度影响。相较于像素化元件（如CCD），一维位置感应PSD的分辨率不受像素尺寸限制，也不需要进行广泛的计算机分析。而分段式探测器（如差分型/四象限探测器）只能测量光束直径大小的距离。
LASER COMPONENTS一维PSD能够沿单一轴向连续检测激光光斑位置，其结构包含三个电触点。位置坐标通过以下公式计算。
Y=L/2 x (Y1-Y2/Y1+Y2)
LASER COMPONENTS一维位置感应探测器特点：
- LASERCOMPONENTS一维PSD的位置线性度通常为+/-0.1%
-上升时间小，一般仅几us
-一维探测器特别适用于在整个有效表面测量大范围位移。
-激光光斑的形状、尺寸及强度分布对测量结果影响甚微，其位置坐标由光斑的功率中心决定。
LASER COMPONENTS一维位置感应探测器产品类型：
除了标准一维探测器型号外，还提供以下特殊探测器
-增强UV响应和YAG激光优化型探测器
-NT系列集成杂散光抑制一维位置感应PSD
-ES系列更高光谱灵敏度的位敏探测器PSD
所有LASER COMPONENTS位敏探测器PSD均可配备抗反射镀膜，制造商将为每款一维探测器提供校准数据报告，其中包含探测器线性度指标。
PSD位置探测器快速参考数据规格表：
-位置非线性：±0.1%
-响应度：0.63A/W
-反向电流（偏置）：15V
-温漂：20ppm/℃
|
型号 |
有效面积(mm2) |
探测器电阻(kΩ) |
漏电流(nA) |
Noise干扰电流(pA/Hz) |
电容(pF) |
上升时间10~90%(us) |
封装 |
|
1L2.5_CP1 |
2.5*0.6 |
50 |
2 |
0.4 |
1.6 |
0.03 |
4-pin陶瓷DIL |
|
1L5_CP1 |
5*1 |
50 |
4 |
0.4 |
5 |
0.05 |
|
|
1L2.5_CP2 |
2.5*0.6 |
50 |
2 |
0.4 |
1.6 |
0.03 |
14-pin陶瓷DIL |
|
1L5_CP2 |
5*1 |
50 |
4 |
0.4 |
5 |
0.05 |
|
|
1L10_CP2 |
10*2 |
50 |
8 |
0.4 |
15 |
0.2 |
|
|
1L10_SU70 |
10*2 |
50 |
8 |
0.4 |
15 |
0.2 |
SMD |
|
1L20_CP3 |
20*3 |
50 |
50 |
0.5 |
45 |
0.5 |
22-pin陶瓷DIL |
|
1L30_SU2 |
30*4 |
50 |
150 |
0.5 |
90 |
1.0 |
陶瓷基底 |
|
1L45_SU69 |
45*3 |
115 |
110 |
0.4 |
105 |
4.2 |
|
|
1L60_SU34 |
60*3 |
150 |
150 |
0.4 |
135 |
4.5 |
增强UV响应的激光优化型一维位敏探测器PSD:
-位置非线性：±0.1%
-响应度：0.63A/W
-反向电流（偏置）：15V
-温漂：20ppm/℃
|
型号 |
有效面积(mm2) |
探测器电阻(kΩ) |
漏电流(nA) |
Noise干扰电流(pA/Hz) |
电容(pF) |
上升时间10~90%(us) |
封装 |
|
1L2.5UV_CP2 |
2.5*0.6 |
50 |
2 |
0.4 |
1.6 |
0.03 |
14-pin陶瓷DIL |
|
1L5UV_CP2 |
5*1 |
50 |
4 |
0.4 |
5 |
0.05 |
|
|
L10UV_CP2 |
10*2 |
50 |
8 |
0.4 |
15 |
0.2 |
|
|
1L20UV_CP3 |
20*3 |
50 |
50 |
0.5 |
45 |
0.5 |
NT系列集成杂散光抑制一维位置感应PSD：
-位置非线性：±0.1%
-响应度：0.63A/W
-反向电流（偏置）：15V
-温漂：20ppm/℃
|
型号 |
有效面积(mm2) |
探测器电阻(kΩ) |
漏电流(nA) |
Noise干扰电流(pA/Hz) |
电容(pF) |
上升时间10~90%(us) |
封装 |
|
1L5NT_CP1 |
5*0.25 |
200 |
4 |
0.3 |
5 |
0.25 |
4-pin陶瓷DIL |
|
1L5NT_CP2 |
5*0.25 |
200 |
4 |
0.3 |
5 |
0.25 |
14-pin陶瓷DIL |
|
1L10NT_CP2 |
10*0.5 |
200 |
8 |
0.3 |
15 |
0.0007 |
适用于所有LASER COMPONENTS一维位置敏感探测器的通用数据：
- LASERCOMPONENTS一维PSD最大工作温度：70°C
-最大存储温度：100°C
-反向电流（偏置）：5~20V
-如1L10_CP2、1L5UV_CP2所示，CP2型号封装一般为14-pin陶瓷DIL封装，1L5NT_CP1所示，CP1型号封装一般为4-pin陶瓷DIL封装。1L30UV_SU2，1L60_SU34一般为陶瓷基地封装，1L10_SU70较为特殊为SMD封装。
以下条件下测量规格中一维位置敏感探测器数据：
-温度23°C
-热漂移的测量范围为23°C至70°C
-位置非线性和热漂移的测量范围为探测器长度的80%
-除非另有说明，否则所有数值均为典型值，若想参考有关详细数据，请参阅各数据表。
