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EOT近红外光电探测器

EOT近红外光电探测器

EOT铟镓砷光电探测器又叫做EOT铟镓砷探测器、EOT近红外光电探测器、短波红外铟镓砷光电探测器、短波近红外铟镓砷光电探测器、铟镓砷PIN光电二极管探测器、EOT光电探测器、铟镓砷光电二极管探测器等等。组件包含PIN光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。带宽>10GHz,占地面积小、内部电压偏置、直流至22GHz,可选外墙插入式电源、可选光纤耦合或自由空间选项。

所属品牌: Electro Optics

应用类型:

产品型号:ET系列

负责人:刘东豪 激光器
联系电话:18926463275 电子邮箱:dhliu@welloptics.cn

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EOT铟镓砷光电探测器,体积小、带宽>10GHz,内部电压偏置


直流至22GHz、可选外墙插入式电源、光纤耦合或自由空间选项



短波近红外铟镓砷光电探测器包含PIN光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。EOT铟镓砷光电探测器又叫做EOT铟镓砷探测器、EOT近红外光电探测器、短波红外铟镓砷光电探测器、短波近红外铟镓砷光电探测器、铟镓砷PIN光电二极管探测器、EOT光电探测器、铟镓砷光电二极管探测器等等。

典型包含可见光、近红外的EOT铟镓砷光电探测器的响应度如下:


ET-3500、ET-4000适合短波可见光区域, 3500FET-3600ET-4000F适用于近红外I区的应用,ET-5000ET-5000F适用于近红外II区。型号确定的含义:

2代表Silicon3代表 InGaAs4代表GaAs5代表Extended InGaAsET是厂家EOT的缩写。


短波近红外铟镓砷光电探测器,三元系材料InxGa1-xAs是由GaAsInAs形成的混合固溶体的直接带隙半导体,其能带成分因组分的比例不同具有差异,应用广泛。

EOT近红外光电探测器端接到示波器的50Ω电阻时,可以测量激光的脉冲宽度。当铟镓砷PIN光电二极管探测器端接到频谱分析仪的50Ω电阻时,可以测量激光的频率响应。

EOT近红外光电探测器中,>10GHz光电探测器自带由长寿命锂电池组成的内部偏置电源。将同轴电缆插入光电检测器的BNC输出连接器,可以在示波器或频谱分析仪处端接50Ω就可以了。

短波近红外铟镓砷光电探测器的上升/下降时间300ps(典型),影响度0.47A/W@830nm,电源要求直流,带宽>2GHz,输出连接器BNC。特点是占地面积小、内部电压偏置、直流至22GHz、可选外墙插入式电源、光纤耦合或自由空间选项。

探测原理是什么呢?

探测器在完成光电转化过程中,不仅给出表征被测对象的电压、电流信号,同时也伴随着无用噪声的电压、电流信号,这是一种起伏信号,其大小决定了探测器的探测能力。


EOT近红外光电探测器的主要指标如下:

1)光电流是存在入射光照射下光电探测器所产生的光生电流,暗电流则为无光入射的情况下探测器存在的漏电流。其大小影响着光接收机的灵敏度大小,是探测器的主要指标之一。暗电流包括以下几种:尽区中边界的少子扩散电流、流子的产生-复合电流、表面泄漏电流。EOT近红外光电探测器的暗电流<0.1nA

2)探测器的暗电流与噪声是分不开的,通常光电探测器的噪声主要分为暗电流噪声、散粒噪声和热噪声:暗电流噪声、散粒噪声、热噪声。EOT近红外光电探测器的噪声<0.01pW/Hz



EOT铟镓砷光电探测器规格

名称

ET-3500->12.5GHz

ET-3600-22GH

ET-4000->12.5GHz

ET-5000->10GHz

型号

120-10058-0001

(ET-3500)

120-10068-0001

(ET-3500F)

120-10140-0001

(ET-3600)

120-10142-0001

(ET-3600F)

120-10071-0001

(ET-4000)

120-10081-0001

(ET-4000F)

120-10105-0001

(ET-5000)

120-10104-0001

(ET-5000F)

探测器材料

InGaAs

GaAs

GaAs

InGaAs

InGaAs

上升/下降时间

<25ps/<25ps

16ps/16ps

<30ps/<30ps

28ps/28ps

28ps/28ps

响应度

>0.90A/W

@1300nm

>0.65A/W

@1300nm

>0.70A/W

@1300nm

>0.70A/W

@1300nm

>0.53A/W

@830nm

>0.38A/W

@830nm

1.3A/W

@2000nm

0.95A/W

@2000nm

电源要求

6VDC

6VDC

3VDC

3VDC

3VDC

3VDC

3V

3V

带宽

>15GHz

>15GHz

>22GHz

>22GHz

>12.5GHz

>12.5GHz

>10GHz

>10GHz

有效面积直径

32µm

32µm

20µm

20µm

60µm

60µm

40µm

40µm

暗电流

<3nA

<3nA

<1nA

<1nA

<0.5nA

<0.5nA

<1µA

<1µA

接受角(1/2角)

15°

N/A

15°

N/A

15°

N/A

20°

N/A

噪声等效功率

20pW/Hz

@1300nm

28pW/Hz

@300nm

26pW/Hz

@1300nm

35pW/Hz

@830nm

45pW/Hz

@830nm

15pW/Hz

@2000nm

20pW/Hz

@2000nm

最大线性额定值

10mW

10mW

10mW

10mW

10mW

10mW

3mA

3mA

安装(螺纹孔)

8-32 or M4

输出连接器

SMA

SMA

SMA

SMA

SMA

SMA

SMA

SMA

光纤连接

N/A

FC/UPC,SMF28e

N/A

FC/UPC,SMF28e

N/A

FC/UPC,SMF28e

N/A

FC/UPC


EOT铟镓砷探测器特点:

-占地面积小

-内部电压偏置

-带宽>10GHz

-直流至22GHz

-可选外墙插入式电源、光纤耦合或自由空间选项


EOT近红外光电探测器应用:

-监控调Q激光器的输出

-监控锁模激光器的输出

-监测外部调制连续激光器的输出

-高频、外差应用

-时域和频率响应测量



文献资料

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